Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11 przez Editor012.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników wrzesień, 2011 12.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników