GeneSiC wprowadza tranzystory złączowe z węglika krzemu
ĆWICZENIA, VA, Luty 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność…
Tyrystor SiC
ĆWICZENIA, VA, Tyrystor SiC 30, 2011 – Nowa fizyka pozwala tyrystorom osiągnąć wyższy poziom Sieć energetyczna zapewnia niezawodne zasilanie za pomocą urządzeń elektronicznych, które zapewniają płynne, niezawodny…
GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla urządzeń SiC w zastosowaniach związanych z energią słoneczną i wiatrową podłączonych do sieci
ĆWICZENIA, VA, lipiec 14, 2011 — r&Magazyn D wybrał firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. z Dulles, VA jako odbiorca prestiżowego 2011 r&re 100 Nagroda za komercjalizację…
Półprzewodnik GeneSiC wybrany do prezentacji technologii w 2011 ARPA-E Szczyt Innowacji Energetycznych
ĆWICZENIA, VA, Luty 28, 2011 – GeneSiC Semiconductor z radością ogłasza swój wybór do prestiżowego pokazu technologicznego podczas ARPA-E Energy Innovation Summit, współorganizowany przez Wydział ds…
GeneSiC wygrywa projekt zarządzania energią od NASA w celu wsparcia przyszłych misji eksploracji Wenus
ĆWICZENIA, VA, grudzień 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., kluczowy innowator nowatorskiego węglika krzemu (SiC) urządzenia do wysokich temperatur, duża moc, i aplikacje o ultrawysokim napięciu, ogłasza wybór…