Søknadsmerknader:
AN-1 1200 V Schottky-dioder med temperaturvariative barrierehøyder og idealitetsfaktorer
Okt 2010 AN-1 1200 V Schottky-dioder med temperaturvariative barrierehøyder og idealitetsfaktorer
AN-2 1200 V SiC JBS-dioder med ultra-lav kapasitiv omvendt gjenopprettingslading for hurtigbytterapplikasjoner
Okt 2010 AN-2 1200 V SiC JBS-dioder med ultra-lav kapasitiv omvendt gjenopprettingslading for hurtigbytterapplikasjoner
AN1001 SiC Power Diode Pålitelighet
september, 2018AN1001 SiC Power Diode Pålitelighet
AN1002 Forstå databladet til en SiC Power Schottky-diode
september, 2018AN1002 Forstå databladet til en SiC Power Schottky-diode
AN1003 SPICE-bruksanvisning
desember, 2018AN1003 SPICE-bruksanvisning
Tekniske artikler:
High Power SiC PiN-likerettere
Des, 2005 High Power SiC PiN-likerettere
SiC PiN-likerettere med høy effekt
Jun, 2007 SiC PiN-likerettere med høy effekt
Rask nøytrondeteksjon med silisiumkarbid halvisolerende detektorer
Jun, 2008 Rask nøytrondeteksjon med silisiumkarbid halvisolerende detektorer
Utvikling av strålingsdetektorer basert på halvisolerende silisiumkarbid
Okt, 2008 Utvikling av strålingsdetektorer basert på halvisolerende silisiumkarbid
Korrelasjon mellom levetid for bærerekombinasjon og spenningsfall i 4H-SiC PiN-dioder
September, 2010 Korrelasjon mellom levetid for bærerekombinasjon og spenningsfall i 4H-SiC PiN-dioder
