Søknadsmerknader:
AN-10A Driving SiC Junction Transistors (SJT) med IGBT-portdrivere av silisium: En-nivå Drive Concep
Kan 2013 AN-10A Driving SiC Junction Transistors (SJT) med IGBT-portdrivere av silisium: Enkeltnivå kjørekonsept
AN-10B Driving SiC Junction Transistors (SJT): To-nivå Gate Drive-konsept
juni 2013 AN-10B Driving SiC Junction Transistors (SJT): To-nivå Gate Drive-konsept
Dobbel pulsbryter
Sep 2014 Dobbel pulsbryter
High Power Gate driverkort
Sep 2014 High Power Gate driverkort
Low Power Gate driverkort
Sep 2014 Low Power Gate driverkort
Tekniske artikler:
1200 V-klasse 4H-SiC “Super” Kryss -transistorer med nåværende gevinster på 88 og ultra-rask byttefunksjon
September, 2011 1200 V-klasse 4H-SiC “Super” Kryss -transistorer med nåværende gevinster på 88 og ultra-rask byttefunksjon
200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering
Nov, 2011 1200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering
Utnytter løftet om høy temperatur om SiC
Feb, 2012 Utnytter løftet om høy temperatur om SiC
Silisiumkarbid “Super” Koblingstransistorer som opererer ved 500 ° C
Apr, 2012 Silisiumkarbid “Super” Koblingstransistorer som opererer ved 500 ° C
Stabilitet i elektriske egenskaper ved SiC "Super" Junction Transistors under langvarig DC og pulserende drift ved forskjellige temperaturer
Kan, 2012 Stabilitet i elektriske egenskaper ved SiC "Super" Junction Transistors under langvarig DC og pulserende drift ved forskjellige temperaturer
