Generelle formål høytemperatur SiC-transistorer og likerettere tilbys til lav pris
Høy temperatur (>210oC) Koblingstransistorer og likerettere i metallbokspakker med liten formfaktor gir revolusjonerende ytelsesfordeler til en rekke bruksområder, inkludert forsterkning, low noise circuitry and downhole…
Gate Driver Board og SPICE-modeller for silisiumkarbidforbindelsestransistorer (SJT) Utgitt
Gate Driver Board optimert for høye svitsjehastigheter og atferdsbaserte modeller gjør det mulig for kraftelektroniske designingeniører å verifisere og kvantifisere fordelene med SJT-er i kortnivåevaluering og kretssimulering DULLES,…
GeneSiC utgivelser 25 mOhm/1700 V silisiumkarbidtransistorer
SiC-svitsjer med laveste ledningstap og overlegen kortslutningsevne frigitt for høyfrekvente strømkretser Dulles, Virginia., Okt 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier…
GeneSiC støtter Google/IEEEs Little Box Challenge
GeneSiCs SiC-transistor og likerettere gir betydelige fordeler for å nå målene til Little Box Challenge State-Of-the-art. Silisiumkarbid krafttransistorer & Likerettere. Tilgjengelig. Nå! GeneSiC has a…
Høy temperatur (210 C) SiC Junction Transistorer tilbys i hermetiske pakker
Løftet om høy temperatur i SiC-transistorer realisert gjennom kompatible industristandardpakker vil kritisk forbedre nedihulls- og romfartsaktuatorer og strømforsyninger Dulles, Virginia., Des 10, 2013 — GENESiC…