GeneSiC vinner 2,53 millioner dollar fra ARPA-E til utvikling av silisiumkarbid-tyristorbaserte enheter
DULLES, VA, september 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energi (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
Fornybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 millioner fra US Department of Energy
DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanske energidepartementet har tildelt GeneSiC Semiconductor to separate tilskudd på til sammen $1,5 millioner for utvikling av høyspent silisiumkarbid (SiC) devices that…
Commercial Impact of Silicon Carbide
September, 2008Commercial Impact of Silicon Carbide
GeneSiC Semiconductor tildelt flere amerikanske Department of Energy SBIR og STTR-tilskudd
DULLES, VA, oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en raskt stigende innovatør av høy temperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, kunngjorde at er blitt tildelt tre separate…