SMB의 SiC 쇼트 키 다이오드 (DO-214) 가장 작은 설치 공간을 제공하는 패키지

높은 전압, 최소 폼 팩터 표면 실장 기능을 제공하여 태양 광 인버터 및 고전압 어셈블리를 결정적으로 지원하는 역 회복없는 SiC 쇼트 키 다이오드

덜레스, 여자 이름., 11 월 19, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 업계 표준 SMB 제품군의 즉각적인 가용성을 발표했습니다. (JEDEC DO-214AA) 패키지 SiC 정류기 650 – 3300 V 범위. 이러한 고전압 통합, 역 복구가 필요 없음, 고주파 및 고온 가능 SiC 다이오드는 변환 효율을 높이고 다중 kV 어셈블리의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이 제품은 마이크로 태양 광 인버터와 광범위한 X-Ray에 사용되는 전압 배율기 회로를 대상으로합니다., 레이저 및 입자 발생기 전원 공급 장치.AllRectifiers

최신 마이크로 태양광 인버터 및 전압 증배기 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류로 인해 회로 효율이 낮고 크기가 커질 수 있습니다.. 더 높은 정류기 접합 온도에서, 이 상황은 실리콘 정류기의 역 회복 전류가 온도에 따라 증가하기 때문에 더욱 악화됩니다.. 열 제약이있는 고전압 어셈블리, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 고전압 SiC 정류기는 마이크로 태양광 인버터 및 고전압 어셈블리에 혁신을 가져올 고유한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 650 V/1A; 1200 V/2A 및 3300 V / 0.3A 쇼트 키 정류기는 온도에 따라 변하지 않는 제로 역 회복 전류를 특징으로합니다.. 그만큼 3300 V 정격 장치는 단일 장치에서 비교적 높은 전압을 제공하므로 일반적인 고전압 발생기 회로에 필요한 전압 증배 단계를 줄일 수 있습니다., 더 높은 AC 입력 전압 사용. 거의 이상적인 스위칭 특성으로 전압 밸런싱 네트워크 및 스 너버 회로를 제거 / 극적으로 줄일 수 있습니다.. 중소기업 (DO-214AA) 오버몰드 패키지는 표면 실장 어셈블리를 위한 산업 표준 폼 팩터를 특징으로 합니다..

"이러한 제품 제공은 매력적인 장치 및 패키지를 제공하기 위해 GeneSiC에서 수년간 지속적인 개발 노력을 기울인 결과입니다.. 우리는 SMB 폼 팩터가 마이크로 태양광 인버터 및 전압 배율기 시장의 핵심 차별화 요소라고 믿습니다., 고객에게 상당한 혜택을 제공 할 것입니다.. GeneSiC의 낮은 VF, 저용량 SiC 쇼트 키 정류기 및 개선 된 SMB 패키지로이 획기적인 제품 구현” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

1200 V / 2 A SMB SiC 쇼트 키 다이오드 (GB02SLT12-214) 기술 하이라이트

  • 일반적인 VF = 1.5 V
  • jmax = 175영형
  • 역 복구 요금 = 14 체크 안함.

3300 V / 0.3 A SMB SiC 쇼트 키 다이오드 (GAP3SLT33-214) 기술 하이라이트

  • 일반적인 VF = 1.7 V
  • jmax = 175영형
  • 역 복구 요금 = 52 체크 안함.

650 V / 1 A SMB SiC 쇼트 키 다이오드 (GB01SLT06-214) 기술 하이라이트

  • 일반적인 VF = 1.5 V
  • jmax = 175영형
  • 역 복구 요금 = 7 체크 안함.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 SMB (DO-214AA) 패키지. 기술 지원 및 SPICE 회로 모델이 제공됩니다.. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

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