덜스, VA, 12 월 14, 2010 – GeneSiC 반도체 Inc., 새로운 실리콘 카바이드의 핵심 혁신자 (SiC) 고온용 장치, 고출력, 및 초고전압 애플리케이션, "에서 작동하는 고전력 모터 제어 모듈을 위한 통합 SiC 슈퍼 접합 트랜지스터-다이오드 장치"라는 프로젝트의 선택을 발표했습니다. 500 oC" 미국 항공 우주국 (나사) 1단계 SBIR 상을 위해. 이 SBIR 프로젝트는 모놀리식 통합 SiC JBS 다이오드-초접합 트랜지스터의 개발에 중점을 두고 있습니다. (MIDSJT) 금성과 같은 환경에서 작동하는 장치 (500 °C 표면 온도). 이 프로그램에서 개발된 SiC MIDSJT 장치는 금성 탐사 로버와 직접 통합하기 위한 모터 제어 전원 모듈을 구성하는 데 사용됩니다..
“NASA의 고온 SiC 장치 솔루션에 대한 확신에 만족합니다.. 이 프로젝트를 통해 GeneSiC는 혁신적인 장치 및 패키징 솔루션을 통해 업계 최고의 SiC 기반 전력 관리 기술을 개발할 수 있습니다.” 박사가 말했다. 시드 다스 순 다레 산, GeneSiC 기술 이사. “이 프로그램에서 목표로 하는 SiC MIDSJT 장치는 킬로와트 수준의 전력이 500 ° C. 우주 응용 분야 외에도, 이 새로운 기술은 주변 온도가 200 ° C. 이러한 응용 분야는 현재 최신 실리콘의 열악한 고온 성능과 JFET 및 MOSFET과 같은 SiC 기반 장치 기술로 인해 현재 제한되어 있습니다.” 그는 덧붙였다.
GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여 www.genesicsemi.com.
GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.
GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방.
