덜스, VA, 십월 23, 2007 — GeneSiC 반도체 Inc., 빠르게 떠오르는 고온 혁신가, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 2007 회계 연도에 미국 에너지 부로부터 3 개의 개별 중소기업 보조금을 받았다고 발표했습니다.. SBIR 및 STTR 보조금은 GeneSiC에서 다양한 에너지 저장을위한 새로운 고전압 SiC 장치를 시연하는 데 사용됩니다., 전력망, 고온 및 고 에너지 물리학 응용. 전 세계가보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 에너지 저장 및 전력 그리드 애플리케이션이 점점 더 많은 관심을 받고 있습니다..
“우리는 우리의 고전력 장치 솔루션과 관련하여 미국 에너지 부 (Department on Energy) 내의 여러 사무소에서 표현한 신뢰 수준에 만족합니다.. 이 자금을 당사의 고급 SiC 기술 프로그램에 주입하면 업계 최고의 라인 SiC 장치가 탄생 할 것입니다.,” GeneSiC의 사장 코멘트, 박사. 란 비르 싱. “이 프로젝트에서 개발중인 장치는보다 효율적인 전력망을 지원할 수있는 중요한 기술을 제공 할 것을 약속합니다., 현대 실리콘 기반 기술의 한계로 인해 실현되지 않았던 새로운 상용 및 군사 하드웨어 기술의 문을 열 것입니다.”
세 가지 프로젝트에는 다음이 포함됩니다.:
- 고전류에 초점을 맞춘 새로운 Phase I SBIR 상, 에너지 저장 애플리케이션에 맞춰진 다중 kV 사이리스터 기반 장치.
- DOE 과학 청에서 수여하는 고전력 RF 시스템 애플리케이션 용 고전압 전원 공급 장치 용 다중 kV SiC 전력 장치 개발을위한 Phase II SBIR 후속 상.
- 광학적으로 게이트 된 고전압에 초점을 맞춘 Phase I STTR 상, 전자기 간섭이 많은 환경을위한 고주파 SiC 전력 장치, 고전력 RF 에너지 시스템 포함, 방향성 에너지 무기 시스템.
상과 함께, GeneSiC는 최근 Dulles의 확장 된 실험실 및 사무실 건물로 작업을 이전했습니다., 여자 이름, 장비를 대폭 업그레이드, 추가 핵심 인력을 추가하는 과정에 있습니다..
“GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다., 광범위한 제작 제품군에 대한 액세스로 백업, 특성화 및 테스트 시설,” 박사 결론. 싱. “우리는 이러한 기능이 새로운 후속 상을 통해 미국 DOE에 의해 효과적으로 검증되었다고 생각합니다.”
회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여 www.genesicsemi.com.
