All-Silicon Carbide Junction Transistors-Diodes provided in a 4 리드 미니 모듈

견고한 Co-packaged SiC 트랜지스터-다이오드 조합, 외딴, 4-리드, 미니 모듈 패키징은 턴온 에너지 손실을 줄이고 고주파 전력 변환기를위한 유연한 회로 설계를 가능하게합니다.

덜스, VA, 할 수있다 13, 2015 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 즉시 가용성을 발표합니다 20 절연 된 mOhm-1200V SiC 접합 트랜지스터 다이오드, 4-유연성을 제공하면서 매우 낮은 턴온 에너지 손실을 가능하게하는 리드 미니 모듈 패키징, 고주파 전력 변환기의 모듈 형 설계. 고주파 사용, 고전압 및 낮은 온 저항 가능 SiC 트랜지스터 및 정류기는 높은 작동 주파수에서 더 높은 전력 처리가 필요한 전자 애플리케이션의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이 장치는 인덕션 히터를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하도록 설계되었습니다., 플라즈마 발생기, 빠른 충전기, DC-DC 컨버터, 및 스위치 모드 전원 공급 장치.

실리콘 카바이드 접합 트랜지스터 코팩 정류기 SOT-227 Isotop

1200 V / 20mOhm 실리콘 카바이드 접합 트랜지스터 정류기-분리 된 SOT-227 패키지로 공동 패키징되어 별도의 게이트 소스 및 싱크 기능 제공

공동 패키지 된 SiC 접합 트랜지스터 (SJT)-GeneSiC에서 제공하는 SiC 정류기는 SJT가 유일한 광대역 갭 스위치를 제공하기 때문에 유도 성 스위칭 애플리케이션에 고유하게 적용 할 수 있습니다. >10 마이크로 초 반복 단락 기능, 심지어 80% 정격 전압의 (예 :. 960 V를위한 1200 V 장치). 10 nsec 미만의 상승 / 하강 시간과 정사각형 역방향 바이어스 안전 작동 영역 외에도 (RBSOA), 새로운 구성의 Gate Return 단자는 스위칭 에너지를 줄이는 능력을 크게 향상시킵니다.. 이 새로운 등급의 제품은 접합 온도와 무관 한 일시적인 에너지 손실 및 스위칭 시간을 제공합니다.. GeneSiC의 SiC 접합 트랜지스터는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 낮은 게이트 전압에서 구동 가능, 다른 SiC 스위치와 달리.
이 미니 모듈에 사용 된 SiC 쇼트 키 정류기는 낮은 온 상태 전압 강하를 보여줍니다., 높은 온도에서 우수한 서지 전류 정격 및 업계 최저 누설 전류. 온도 독립적, 제로에 가까운 역 복구 스위칭 특성, SiC 쇼트 키 정류기는 고효율 회로에 사용하기에 이상적인 후보입니다..
“GeneSiC의 SiC 트랜지스터 및 정류기 제품은 낮은 온 상태 및 스위칭 손실을 실현하도록 설계 및 제조되었습니다.. 혁신적인 패키지에 이러한 기술을 결합하여 광대역 밴드 갭 기반 장치를 요구하는 전력 회로에서 탁월한 성능을 약속합니다.. 미니 모듈 패키징은 H-Bridge와 같은 다양한 전원 회로에 사용할 수있는 뛰어난 설계 유연성을 제공합니다., 플라이 백 및 다단계 인버터” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
오늘 출시 된 제품은 다음과 같습니다.
20 mOhm / 1200V SiC 접합 트랜지스터 / 정류기 코팩 (GA50SICP12-227):
• 절연 SOT-227 / 미니 블록 / Isotop 패키지
• 트랜지스터 전류 이득 (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (포장에 의해 제한됨)
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <10 일반적인 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트 됨. 이 장치는 GeneSiC의 공인 대리점.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다: https://192.168.88.14/상용 -sic / sic-modules-copack /

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 다이오드 모듈. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, downhole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.