SMBのSiCショットキーダイオード (DO-214) パッケージは最小のフットプリントを提供します

高電圧, 最小のフォームファクタの表面実装機能を提供することにより、ソーラーインバータと高電圧アセンブリを大幅に実現する逆回復のないSiCショットキーダイオード

ダレス, バージニア。, 11月 19, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、業界標準のSMBファミリがすぐに利用可能になることを発表しました (JEDEC DO-214AA) パッケージ化されたSiC整流器 650 – 3300 Vレンジ. これらの高電圧を組み込む, 逆回復なし, 高周波および高温対応のSiCダイオードは、変換効率を高め、マルチkVアセンブリのサイズ/重量/体積を削減します. これらの製品は、マイクロソーラーインバーターだけでなく、幅広いX線で使用される電圧増倍回路を対象としています。, レーザーおよび粒子発生器の電源.AllRectifiers

現代のマイクロソーラーインバーターと電圧増倍回路は、シリコン整流子からの逆回復電流のために、回路効率が低く、サイズが大きいという問題が発生する可能性があります。. より高い整流器接合部温度で, シリコン整流子の逆回復電流は温度とともに増加するため、この状況はさらに悪化します. 熱的制約のある高電圧アセンブリ, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 高電圧SiC整流器は、マイクロソーラーインバーターと高電圧アセンブリに革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 650 V / 1 A; 1200 V /2Aおよび 3300 V / 0.3 Aショットキー整流器は、温度によって変化しないゼロ逆回復電流を特徴としています. ザ 3300 V定格デバイスは、単一のデバイスで比較的高い電圧を提供し、一般的な高電圧発電機回路で必要とされる電圧増倍ステージの削減を可能にします, より高いAC入力電圧の使用による. ほぼ理想的なスイッチング特性により、電圧平衡ネットワークとスナバ回路の排除/劇的な削減が可能になります. SMB (DO-214AA) オーバーモールドパッケージは、表面実装アセンブリの業界標準のフォームファクタを備えています.

「これらの製品の提供は、魅力的なデバイスとパッケージの提供に向けたGeneSiCでの長年にわたる継続的な開発努力から生まれました。. SMBフォームファクターは、マイクロソーラーインバーターおよび電圧マルチプライヤー市場の重要な差別化要因であると考えています, そして私達の顧客に重要な利益を可能にします. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiCショットキー整流器と改良されたSMBパッケージにより、この画期的な製品が可能になります” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

1200 V / 2 ASMBSiCショットキーダイオード (GB02SLT12-214) 技術的なハイライト

  • 典型的なVF= 1.5 V
  • Tjmax = 175oC
  • 逆回復料金= 14 nC.

3300 V / 0.3 ASMBSiCショットキーダイオード (GAP3SLT33-214) 技術的なハイライト

  • 典型的なVF= 1.7 V
  • Tjmax = 175oC
  • 逆回復料金= 52 nC.

650 V / 1 ASMBSiCショットキーダイオード (GB01SLT06-214) 技術的なハイライト

  • 典型的なVF= 1.5 V
  • Tjmax = 175oC
  • 逆回復料金= 7 nC.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RhoHS準拠のSMB (DO-214AA) パッケージ. テクニカルサポートとSPICE回路モデルが提供されます. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

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