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高温 (210 C) ハーメチックパッケージで提供されるSiCジャンクショントランジスタ

互換性のある業界標準パッケージを通じて実現されたSiCトランジスタの高温の可能性は、ダウンホールおよび航空宇宙アクチュエータと電源を大幅に強化します。

ダレス, バージニア。, 12月 10, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、その販売代理店および直接ファミリー高温パッケージを通じてすぐに利用可能になることを発表しました 600 VSiCジャンクショントランジスタ (SJT) の中に 3-50 JEDEC業界標準のスルーホールおよび表面実装パッケージの電流定格をアンペア. これらの高温を組み込む, 低オン抵抗, ハーメチックパッケージの高周波SiCトランジスタ, 高温はんだとカプセル化により、変換効率が向上し、高温電力変換アプリケーションのサイズ/重量/体積が減少します.HiT_Schottky

現代の高温電源, 石油/ガス/ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションで使用されるモーター制御およびアクチュエータ回路は、実行可能な高温炭化ケイ素ソリューションの可用性の欠如に悩まされています. シリコントランジスタは、リーク電流が大きく、スイッチング特性が低いため、回路効率が低く、サイズが大きいという問題があります。. これらのパラメータは両方とも、接合部温度が高くなると悪化します. 熱制約環境あり, 適度な電流が流れても接合部温度は非常に簡単に上昇します. 密閉パッケージされたSiCトランジスタは、ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションの機能に革命をもたらすことを約束する独自の特性を提供します. GeneSiCの 650 V / 3-50 A SiCジャンクショントランジスタは、温度によって変化しないほぼゼロのスイッチング時間を備えています. ザ 210oC接合部の温度定格デバイスは、極端な環境で動作するアプリケーションに比較的大きな温度マージンを提供します.

GeneSiCが提供するジャンクショントランジスタは、超高速スイッチング機能を発揮します, 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, コマーシャルによって駆動することができます, 一般的に利用可能 15 VIGBTゲートドライバー, 他のSiCスイッチとは異なり. SiCJFETドライバーとの互換性を提供しながら, SiCジャンクショントランジスタは、過渡特性が一致しているため、簡単に並列化できます。.

“ダウンホールおよび航空宇宙アプリケーションの設計者は、動作周波数の限界を押し上げ続けています, 高い回路効率を要求しながら, 標準のパフォーマンスを提供できるSiCスイッチが必要です, 信頼性と生産の均一性. 独自のデバイスと製造革新の活用, GeneSiCのSJT製品は、設計者がより堅牢なソリューションでこれらすべてを実現するのに役立ちます. これらの製品は、GeneSiCによって昨年リリースされた密閉パッケージSiC整流器を補完します, 今年初めにリリースされたベアダイ製品, 私たちが高温を提供するための道を開いている間, 低インダクタンス, 近い将来のパワーモジュール ” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

TO-257を分離 600 SJTで:

  • 65 mOhms / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7637-GA); そして 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.
  • 対応するベアダイGA20JT06-CAL (2N7639-GAで); GA10JT06-CAL (2N7637-GAで); およびGA05JT06-CAL (2N7635-GAで)

非絶縁型TO-258プロトタイプパッケージ 600 SJT

  • 25 mOhms / 50 Amp (GA50JT06-258プロトタイプパッケージ)
  • Tjmax = 210oC
  • オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.
  • 対応するベアダイGA50JT06-CAL (GA50JT06-258で)

表面実装TO-276 (SMD0.5) と 600 SJT

  • 65 mOhms / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7638-GA); そして 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、密閉パッケージに収容されています. テクニカルサポートとSPICE回路モデルが提供されます. デバイスは、GeneSiCから直接、および/またはその認定販売代理店を通じてすぐに入手できます。.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, ニュース https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt