低コストで提供される汎用高温SiCトランジスタおよび整流器
高温 (>210電力システム設計インタビューGeneSiCニュルンベルク) スモールフォームファクタの金属缶パッケージのジャンクショントランジスタと整流器は、増幅を含むさまざまなアプリケーションに革新的な性能上の利点を提供します, 電力システム設計インタビューGeneSiCニュルンベルク…
シリコンカーバイド接合トランジスタのゲートドライバボードとSPICEモデル (SJT) リリース済み
高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションでSJTの利点を検証および定量化できますDULLES,…
GeneSiCリリース 25 mOhm /1700Vシリコンカーバイドトランジスタ
高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションでSJTの利点を検証および定量化できますDULLES, バージニア。, 10月 28, 2014 — ニュース, 高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションでSJTの利点を検証および定量化できますDULLES…
GeneSiCはGoogle / IEEEのリトルボックスチャレンジをサポートします
高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションでSJTの利点を検証および定量化できますDULLES. シリコンカーバイドパワートランジスタ & 整流器. 利用可能. 今! 高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションでSJTの利点を検証および定量化できますDULLES…
高温 (210 C) ハーメチックパッケージで提供されるSiCジャンクショントランジスタ
高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションでSJTの利点を検証および定量化できますDULLES, バージニア。, 12月 10, 2013 — GeneSiC…
