GeneSiCは、炭化ケイ素サイリスタベースのデバイスの開発に向けて、ARPA-Eから253万ドルを獲得しました
ダレス, VA, 9月 28, 2010 –先端研究プロジェクト庁–エネルギー (ARPA-E) 小説の開発に向けて、GeneSiCSemiconductor主導のチームと協力協定を締結しました…
再生可能エネルギー推力ネットGeneSiCSemiconductor米国エネルギー省から150万ドル
ダレス, VA, 11月 12, 2008 – 米国エネルギー省は、高電圧炭化ケイ素の開発に対して、GeneSiCSemiconductorに合計150万ドルの2つの個別の助成金を授与しました。 (SiC) そのデバイス…
炭化ケイ素の商業的影響
9月, 2008炭化ケイ素の商業的影響
GeneSiCSemiconductorが複数の米国エネルギー省SBIRおよびSTTR助成金を受賞
ダレス, VA, 10月 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., 高温の急成長中のイノベーター, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 3つの別々に授与されたことを発表しました…
