ダレス, VA, 10月 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., 高温の急成長中のイノベーター, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 2007年度中に米国エネルギー省から3つの個別の中小企業助成金が授与されたと発表しました. SBIRおよびSTTRの助成金は、GeneSiCによって使用され、さまざまなエネルギー貯蔵用の新しい高電圧SiCデバイスを実証します。, 送電網, 高温および高エネルギー物理学アプリケーション. 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせているため、エネルギー貯蔵および電力網アプリケーションはますます注目を集めています。.
“当社の高出力デバイスソリューションに関して、米国エネルギー省内のさまざまなオフィスから表明された信頼のレベルに満足しています。. この資金を当社の高度なSiCテクノロジープログラムに注入すると、業界をリードするラインSiCデバイスが実現します。,” GeneSiCの社長はコメントしました, 博士. ランヴィール・シン. “これらのプロジェクトで開発されているデバイスは、より効率的な電力網をサポートするための重要な実現技術を提供することを約束します, そして、現代のシリコンベースの技術の限界のために実現されていない新しい商用および軍事用ハードウェア技術への扉を開きます。”
3つのプロジェクトには以下が含まれます:
- 高電流に焦点を当てた新しいフェーズISBIR賞, エネルギー貯蔵アプリケーション向けのマルチkVサイリスタベースのデバイス.
- DOE科学局によって授与された高出力RFシステムアプリケーション用の高電圧電源用のマルチkVSiCパワーデバイスの開発に対するフェーズIISBIR後続賞.
- 光学的にゲートされた高電圧に焦点を当てたフェーズISTTR賞, 電磁干渉が豊富な環境向けの高周波SiCパワーデバイス, 高出力RFエネルギーシステムを含む, 指向性エネルギー兵器システム.
賞と一緒に, GeneSiCは最近、ダレスの拡張された研究所とオフィスビルに事業を移転しました, バージニア, 機器を大幅にアップグレード, インフラストラクチャであり、キーパーソンを追加する過程にあります.
“GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します, 広範な製造スイートへのアクセスでそれをバックアップします, 特性評価およびテスト施設,” 結論博士. シン. “これらの機能は、これらの新しい後続の賞で米国エネルギー省によって効果的に検証されたと感じています。”
会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することにより www.genesicsemi.com.
