ダレス, VA, 11月 12, 2008 – 米国エネルギー省は、高電圧炭化ケイ素の開発に対して、GeneSiCSemiconductorに合計150万ドルの2つの個別の助成金を授与しました。 (SiC) 風力の主要なイネーブラーとして機能するデバイス- 太陽光発電と国の電力網との統合.
「これらの賞は、GeneSiCの機能に対するDOEの信頼を示しています。, 代替エネルギーソリューションへの取り組みと同様に,」と博士は述べています. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「統合された, 効率的な電力網は、国のエネルギーの将来にとって重要です。また、私たちが開発しているSiCデバイスは、従来のシリコン技術の非効率性を克服するために重要です。」
最初の賞は、高速開発のための75万ドルのフェーズIISBIR助成金です。, 超高電圧SiCバイポーラデバイス. 2つ目は、光学的にゲート制御された高出力SiCスイッチの開発に対する75万ドルのフェーズIISTTR助成金です。.
炭化ケイ素は、シリコンの10倍の電圧と100倍の電流を処理する能力を備えた次世代の半導体材料です。, 再生可能エネルギーなどの高電力アプリケーションに最適です。 (風と太陽) 設備および電気グリッド制御システム.
具体的には, 2つの賞は:
- 高周波の開発, マルチキロボルトSiCゲートターンオフ (GTO) パワーデバイス. 政府および商用アプリケーションには、船舶の電力管理および調整システムが含まれます, 公益事業, および医用画像.
- 光学的にゲートされた高電圧の設計と製造, ハイパワーSiCスイッチングデバイス. 光ファイバーを使用して電源を切り替えることは、電磁干渉に悩まされている環境にとって理想的なソリューションです。 (EMI), および超高電圧を必要とするアプリケーション.
GeneSiCが開発しているSiCデバイスは、さまざまなエネルギー貯蔵に役立ちます, 送電網, および軍事用途, 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせるにつれて、これらはますます注目を集めています.
ワシントン郊外に拠点を置く, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, 電界効果トランジスタ (FET) およびバイポーラデバイス, だけでなく粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCには、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトがあります, エネルギー省を含む, 海軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュース www.genesicsemi.com.
