温度に依存しない安定したサブスレッショルド動作を備えた10kV大面積4H-SiCパワーDMOSFET
8月, 2008温度に依存しない安定したサブスレッショルド動作を備えた10kV大面積4H-SiCパワーDMOSFET
大電流対応650V, 1200ミニモジュールSOT-227パッケージのVおよび1700VSiCSchottkyMPS™ダイオード
ダレス, VA, 五月 11, 2019 — GeneSiCは大電流対応のマーケットリーダーになります (100 Aと 200 A) SOT-227ミニモジュールGeneSiCのSiCショットキーダイオードはGB2X50MPS17-227を導入しました, GC2X50MPS06-227…
GeneSiCは、業界で最高のパフォーマンスを発揮する1700VSiCショットキーMPSをリリースします™ ダイオード
ダレス, VA, 1月 7, 2019 — GeneSiCは、TO-247-2パッケージで第3世代1700VSiCショットキーMPS™ダイオードの包括的なポートフォリオをリリースしますGeneSiCはGB05MPS17-247を導入しました, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247および…
PCIMでインタビューされたGeneSiC 2016 ニュルンベルクで, ドイツ
電力システム設計インタビューGeneSiCニュルンベルク, ドイツ5月 12, 2016 — GeneSiC Semiconductorの社長は、Power SystemsDesignのAlixPaultreからインタビューを受けました。 (Google Analyticsを使用して、サイトでのユーザーアクティビティとパターンを理解します://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) ニュルンベルクのPCIMショーで,…
オールシリコンカーバイドジャンクショントランジスタ-ダイオードは 4 リードミニモジュール
堅牢なCoパッケージSiCトランジスタとダイオードの組み合わせ, 孤立, 4-リード, 電力システム設計インタビューGeneSiCニュルンベルク, VA, 五月 13, 2015…
