堅牢なCoパッケージSiCトランジスタとダイオードの組み合わせ, 孤立, 4-リード, ミニモジュールパッケージは、ターンオンエネルギー損失を削減し、高周波電力変換器の柔軟な回路設計を可能にします
ダレス, VA, 五月 13, 2015 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、 20 mOhm-1200 VSiC接合トランジスタ-絶縁されたダイオード, 4-柔軟性を提供しながら、非常に低いターンオンエネルギー損失を可能にする有鉛ミニモジュールパッケージ, 高周波電力変換器のモジュラー設計. 高周波の使用, 高電圧および低オン抵抗対応のSiCトランジスタおよび整流器は、高い動作周波数でより高い電力処理を必要とする電子機器アプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、誘導加熱器を含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, プラズマ発生器, 急速充電器, DC-DCコンバーター, およびスイッチモード電源.
1200 V / 20mOhmシリコンカーバイド接合トランジスタ整流器-個別のゲートソースおよびシンク機能を提供する絶縁型SOT-227パッケージに同梱
共同パッケージ化されたSiCジャンクショントランジスタ (SJT)-GeneSiCが提供するSiC整流器は、SJTが唯一のワイドバンドギャップスイッチであるため、誘導スイッチングアプリケーションに独自に適用できます。 >10 マイクロ秒の繰り返し短絡機能, でも 80% 定格電圧の (例えば. 960 Vの 1200 Vデバイス). サブ10ナノ秒の立ち上がり/立ち下がり時間と正方形の逆バイアスされた安全な操作領域に加えて (RBSOA), 新しい構成のゲートリターン端子は、スイッチングエネルギーを削減する能力を大幅に向上させます. これらの新しいクラスの製品は、接合部温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間を提供します. GeneSiCのSiCジャンクショントランジスタはゲート酸化物を使用していません, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, 低いゲート電圧で駆動することができます, 他のSiCスイッチとは異なり.
これらのミニモジュールで使用されるSiCショットキー整流器は、低いオン状態の電圧降下を示します, 優れたサージ電流定格と高温での業界最低の漏れ電流. 温度に依存しない, ほぼゼロの逆回復スイッチング特性, SiCショットキー整流器は高効率回路での使用に理想的な候補です.
“GeneSiCのSiCトランジスタおよび整流器製品は、低いオン状態およびスイッチング損失を実現するように設計および製造されています. 革新的なパッケージにこれらのテクノロジーを組み合わせることで、ワイドバンドギャップベースのデバイスを必要とする電源回路での優れたパフォーマンスが約束されます. ミニモジュールパッケージは、Hブリッジなどのさまざまな電源回路で使用するための優れた設計の柔軟性を提供します, フライバックおよびマルチレベルインバーター” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.
本日リリースされた製品には、
20 mOhm / 1200 VSiCジャンクショントランジスタ/整流器コパック (GA50SICP12-227):
•分離されたSOT-227 /ミニブロック/アイソトップパッケージ
•トランジスタ電流ゲイン (hFE) >100
•Tjmax = 175oC (パッケージによる制限)
•オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <10 典型的なナノ秒.
すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテスト済み. デバイスはGeneSiCからすぐに入手できます 正規販売代理店.
詳細については, ニュース: Google Analyticsを使用して、サイトでのユーザーアクティビティとパターンを理解します://192.168.88.14/Commercial-sic / sic-modules-copack /
GeneSiCSemiconductorIncについて.
GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコンダイオードモジュール. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンホール石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.
