Tecnologia elettronica di potenza
febbraio, 2012 – SiC: Un robusto composto di semiconduttori di potenza da considerare
Tecnologia elettronica di potenza (Pg 21)
novembre, 2011 – I transistor a giunzione SiC "Super" offrono prestazioni rivoluzionarie per le alte temperature
Bodo's Power Systems (Pg 36)
ottobre, 2011 – Prestazioni elettriche rivoluzionarie ad alta temperatura dei transistor a giunzione "Super" SiC
Tecnologia elettronica di potenza (Pg 36)
luglio, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diode Copack riduce le perdite di commutazione
Bodo's Power Systems (Pg 46)
Maggio, 2011 – 1200 Copack diodi V / 100 A Si IGBT / SiC per applicazioni elettroniche di potenza
