Note applicative:
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Articoli tecnici:
Transistor a giunzione "Super" SiC con Ultra-Fast (< 15 n.s) Capacità di commutazione
Maggio, 2012 Transistor a giunzione "Super" SiC con Ultra-Fast (< 15 n.s) Capacità di commutazione
Caratterizzazione della stabilità del guadagno di corrente e del funzionamento in modalità valanga di BJT 4H-SiC
ottobre, 2012 Caratterizzazione della stabilità del guadagno di corrente e del funzionamento in modalità valanga di BJT 4H-SiC
10 kV SiC BJT – statico, caratteristiche di commutazione e affidabilità
Maggio, 2013 10 kV SiC BJT – statico, caratteristiche di commutazione e affidabilità
Transistor a giunzione SiC a rapida maturazione con guadagno di corrente (b) > 130, Tensioni di blocco fino a 2700 V e funzionamento stabile a lungo termine
ottobre, 2013 Transistor a giunzione SiC a rapida maturazione con guadagno di corrente (b) > 130, Tensioni di blocco fino a 2700 V e funzionamento stabile a lungo termine
Transistor a giunzione in carburo di silicio e raddrizzatori Schottky ottimizzati per il funzionamento a 250°C
aprile, 2014 Transistor a giunzione in carburo di silicio e raddrizzatori Schottky ottimizzati per il funzionamento a 250°C