GeneSiC vince $ 2,53 M da ARPA-E per lo sviluppo di dispositivi basati su tiristori in carburo di silicio
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistori di giunzione con guadagni di corrente di 88 e capacità di commutazione ultraveloce
Caratterizzazione della stabilità del guadagno di corrente e del funzionamento in modalità valanga di BJT 4H-SiC