Un DMOSFET di potenza 4H-SiC ad ampia area da 10 kV con comportamento sottosoglia stabile indipendentemente dalla temperatura
agosto, 2008Un DMOSFET di potenza 4H-SiC ad ampia area da 10 kV con comportamento sottosoglia stabile indipendentemente dalla temperatura
650V capace di alta corrente, 1200Diodi Schottky MPS ™ SiC V e 1700V in contenitore mini-modulo SOT-227
DULLI, VA, Maggio 11, 2019 — GeneSiC diventa un leader di mercato in capacità ad alta corrente (100 A e 200 UN) Diodi Schottky SiC nel mini-modulo SOT-227 GeneSiC ha introdotto GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC rilascia l'MPS Schottky SiC da 1700V con le migliori prestazioni del settore™ diodi
DULLI, VA, gennaio 7, 2019 — GeneSiC rilascia un portafoglio completo dei suoi diodi Schottky MPS ™ SiC 1700V di terza generazione nel pacchetto TO-247-2 GeneSiC ha introdotto GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 e…
GeneSiC intervistato al PCIM 2016 a Norimberga, Germania
Power System Design Interviews GeneSiC Nuremberg, Germania maggio 12, 2016 — Il presidente di GeneSiC Semiconductor è stato intervistato da Alix Paultre di Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) alla fiera PCIM di Norimberga,…
Transistor-diodi a giunzione interamente in carburo di silicio offerti in formato 4 Mini modulo con piombo
Transistor-diodo SiC co-confezionato in un robusto, isolato, 4-Piombo, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters DULLES, VA, Maggio 13, 2015…
