Transistor-diodo SiC co-confezionato in un robusto, isolato, 4-Piombo, l'imballaggio del mini-modulo riduce le perdite di energia all'accensione e consente progetti di circuiti flessibili per convertitori di potenza ad alta frequenza
DULLI, VA, Maggio 13, 2015 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) power semiconductors annuncia oggi la disponibilità immediata di 20 Transistor-diodi a giunzione SiC mOhm-1200 V in un isolato, 4-Confezione mini-modulo con piombo che consente perdite di energia di accensione estremamente basse pur offrendo flessibilità, progetti modulari in convertitori di potenza ad alta frequenza. L'uso dell'alta frequenza, I transistor e i raddrizzatori SiC ad alta tensione e bassa resistenza in tensione ridurranno le dimensioni / il peso / il volume delle applicazioni elettroniche che richiedono una maggiore gestione della potenza ad alte frequenze operative. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, inclusi i riscaldatori a induzione, generatori di plasma, caricatori veloci, Convertitori CC-CC, e alimentatori switching.
1200 Raddrizzatore a transistor di giunzione in carburo di silicio V / 20 mOhm, confezionato in un contenitore SOT-227 isolato che fornisce funzionalità Gate Source e Sink separate
Transistor a giunzione SiC in confezione (SJT)-I raddrizzatori SiC offerti da GeneSiC sono applicabili in modo univoco alle applicazioni di commutazione induttiva perché gli SJT sono le uniche offerte di switch widebandgap >10 capacità di cortocircuito ripetitivo in microsec, anche a 80% delle tensioni nominali (per esempio. 960 V per a 1200 Dispositivo V.). Oltre ai tempi di salita / discesa inferiori a 10 nsec e un'area operativa sicura quadrata con polarizzazione inversa (RBSOA), il terminale Gate Return nella nuova configurazione migliora sensibilmente la capacità di ridurre le energie di commutazione. Questa nuova classe di prodotti offre perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura di giunzione. I transistor a giunzione SiC di GeneSiC sono privi di gate-oxide, normalmente spento, esibire un coefficiente di temperatura positivo di resistenza all'accensione, e possono essere pilotati a basse tensioni di Gate, a differenza di altri interruttori SiC.
I raddrizzatori Schottky SiC utilizzati in questi mini-moduli mostrano basse cadute di tensione nello stato on, buoni valori nominali di corrente di picco e correnti di dispersione più basse del settore a temperature elevate. Con temperatura indipendente, caratteristiche di commutazione del ripristino inverso quasi zero, I raddrizzatori SiC Schottky sono candidati ideali per l'uso in circuiti ad alta efficienza.
“I prodotti Transistor e Raddrizzatore SiC di GeneSiC sono progettati e realizzati per realizzare basse perdite di stato on e di commutazione. Una combinazione di queste tecnologie in un pacchetto innovativo promette prestazioni esemplari nei circuiti di alimentazione che richiedono dispositivi basati su un ampio intervallo di banda. La confezione del mini-modulo offre una grande flessibilità di progettazione per l'uso in una varietà di circuiti di alimentazione come l'H-Bridge, Inverter flyback e multilivello” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
Il prodotto rilasciato oggi include
20 Transistor a giunzione / raddrizzatore a giunzione SiC mOhm / 1200 V (GA50SICP12-227):
• Pacchetto isolato SOT-227 / mini-block / Isotop
• Guadagno di corrente del transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitato dalla confezione)
• Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <10 nanosecondi tipici.
Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione / corrente nominale. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso GeneSiC Distributori autorizzati.
Per maggiori informazioni, per favore visita: https://192.168.88.14/commerciale-sic / sic-moduli-copack /
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i moduli a diodi di silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, trivellazione petrolifera downhole, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
