Alta temperatura (>210IlC) Transistor a giunzione e raddrizzatori in contenitori di lattine di metallo con fattore di forma ridotto offrono vantaggi prestazionali rivoluzionari a una varietà di applicazioni, inclusa l'amplificazione, circuiti a basso rumore e controlli dell'attuatore a fondo pozzo
DULLI, VA, Marzo 9, 2015 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) Power Semiconductors annuncia oggi la disponibilità immediata di una linea di compact, transistor a giunzione SiC per alte temperature e una linea di raddrizzatori in contenitori di lattine di metallo TO-46. Questi componenti discreti sono progettati e realizzati per funzionare a temperature ambiente superiori a 215IlC. L'uso di alta temperatura, I transistor e i raddrizzatori SiC ad alta tensione e bassa resistenza in tensione ridurranno le dimensioni / il peso / il volume delle applicazioni elettroniche che richiedono una maggiore gestione della potenza a temperature elevate. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, inclusa un'ampia varietà di circuiti downhole, strumentazione geotermica, attivazione del solenoide, amplificazione generale, e alimentatori switching.
Transistor a giunzione SiC per alte temperature (SJT) offerto da GeneSiC mostra tempi di salita / discesa inferiori a 10 nsec >10 Commutazione MHz e un'area di operazione sicura quadrata polarizzata inversa (RBSOA). Le perdite di energia transitorie e i tempi di commutazione sono indipendenti dalla temperatura di giunzione. Questi interruttori sono esenti da ossido di gate, normalmente spento, esibire un coefficiente di temperatura positivo di resistenza all'accensione, e sono in grado di essere guidati da 0/+5 Gate driver V TTL, a differenza di altri interruttori SiC. I vantaggi unici dell'SJT rispetto ad altri interruttori SiC sono la sua maggiore affidabilità a lungo termine, >20 capacità di cortocircuito usec, e capacità di valanga superiore. Questi dispositivi possono essere utilizzati come amplificatori efficienti in quanto promettono una linearità molto più elevata rispetto a qualsiasi altro interruttore SiC.
I raddrizzatori Schottky SiC ad alta temperatura offerti da GeneSiC mostrano basse cadute di tensione in stato on, e le correnti di dispersione più basse del settore a temperature elevate. Con temperatura indipendente, caratteristiche di commutazione del ripristino inverso quasi zero, I raddrizzatori SiC Schottky sono candidati ideali per l'uso in alta efficienza, circuiti ad alta temperatura. Le confezioni di lattine di metallo TO-46 così come i processi di confezionamento associati utilizzati per creare questi prodotti consentono un uso critico a lungo termine dove l'elevata affidabilità è fondamentale.
“I prodotti a transistor e raddrizzatore GeneSiC sono progettati e fabbricati dalle basi fino a consentire il funzionamento ad alta temperatura. Questi SJT compatti in pacchetto TO-46 offrono guadagni di corrente elevati (>110), 0/+5 Controllo V TTL, e prestazioni robuste. Questi dispositivi offrono basse perdite di conduzione e elevata linearità. Progettiamo la nostra linea di raddrizzatori “SHT”, per offrire basse correnti di dispersione ad alte temperature. Questi prodotti confezionati in lattine di metallo aumentano i nostri prodotti TO-257 e SMD in metallo rilasciati lo scorso anno per offrire un fattore di forma ridotto, soluzioni resistenti alle vibrazioni” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
I prodotti rilasciati oggi includono:
240 Transistor a giunzione SiC mOhm:
- 300 Tensione di blocco V.. Numero di parte GA05JT03-46
- 100 Tensione di blocco V.. Numero di parte GA05JT01-46
- Guadagno corrente (hFE) >110
- Tjmax = 210IlC
- Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <10 nanosecondi tipici.
Fino a 4 Diodi Schottky ad alta temperatura Ampere:
- 600 Tensione di blocco V.. Numero di parte GB02SHT06-46
- 300 Tensione di blocco V.. Numero di parte GB02SHT03-46
- 100 Tensione di blocco V.. Numero di parte GB02SHT01-46
- Carica capacitiva totale 9 nC
- Tjmax = 210IlC.
Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione / corrente nominale e alloggiato in contenitori di metallo possono TO-46. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i distributori autorizzati di GeneSiC.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i moduli a diodi di silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, trivellazione petrolifera downhole, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
Per maggiori informazioni, per favore visita https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; e https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
