GeneSiC vince $ 2,53 M da ARPA-E per lo sviluppo di dispositivi basati su tiristori in carburo di silicio
DULLI, VA, settembre 28, 2010 - Agenzia per progetti di ricerca avanzata - Energia (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
L'energia rinnovabile mette a disposizione 1,5 milioni di dollari di GeneSiC Semiconductor dal Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti
DULLI, VA, novembre 12, 2008 – Il Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti ha assegnato a GeneSiC Semiconductor due sovvenzioni separate per un totale di 1,5 milioni di dollari per lo sviluppo di carburo di silicio ad alta tensione (SiC) devices that…
Impatto commerciale del carburo di silicio
settembre, 2008Impatto commerciale del carburo di silicio
GeneSiC Semiconductor ha ricevuto più sovvenzioni SBIR e STTR dal Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti
DULLI, VA, ottobre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovatore in rapida crescita di alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, announced that is has been awarded three separate…