DULLI, VA, ottobre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovatore in rapida crescita di alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, ha annunciato di aver ricevuto tre distinte sovvenzioni per piccole imprese dal Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti durante il FY07. Le sovvenzioni SBIR e STTR saranno utilizzate da GeneSiC per dimostrare nuovi dispositivi SiC ad alta tensione per una varietà di accumuli di energia, rete elettrica, applicazioni di fisica ad alta temperatura e alta energia. Le applicazioni di accumulo di energia e di rete elettrica stanno ricevendo una crescente attenzione poiché il mondo si concentra su soluzioni di gestione dell'energia più efficienti ed economiche.
“Siamo soddisfatti del livello di fiducia espresso da vari uffici del Dipartimento per l'energia degli Stati Uniti riguardo alle nostre soluzioni per dispositivi ad alta potenza. L'iniezione di questo finanziamento nei nostri programmi avanzati di tecnologia SiC si tradurrà in una linea di dispositivi SiC leader del settore,” ha commentato il presidente di GeneSiC, Dott. Ranbir Singh. “I dispositivi sviluppati in questi progetti promettono di fornire una tecnologia abilitante critica per supportare una rete elettrica più efficiente, e aprirà la porta a una nuova tecnologia hardware commerciale e militare che è rimasta non realizzata a causa dei limiti delle moderne tecnologie basate sul silicio.”
I tre progetti includono:
- Un nuovo premio SBIR di Fase I incentrato sull'alta corrente, Dispositivi basati su tiristori multi-kV destinati ad applicazioni di accumulo di energia.
- Un premio SBIR di fase II per lo sviluppo di dispositivi di alimentazione SiC multi-kV per alimentatori ad alta tensione per applicazioni di sistemi RF ad alta potenza assegnato dal DOE Office of Science.
- Un premio STTR di fase I incentrato sull'alta tensione con controllo ottico, dispositivi di potenza SiC ad alta frequenza per ambienti ricchi di interferenze elettromagnetiche, compresi i sistemi di energia RF ad alta potenza, e sistemi d'arma a energia diretta.
Insieme ai premi, GeneSiC ha recentemente trasferito le operazioni in un laboratorio ampliato e in un edificio per uffici a Dulles, Virginia, migliorando in modo significativo la sua attrezzatura, infrastruttura ed è in procinto di aggiungere ulteriore personale chiave.
“GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti, sostenendolo con l'accesso a una vasta suite di fabbricazione, caratterizzazione e strutture di prova,” ha concluso il dott. Singh. “Riteniamo che queste capacità siano state effettivamente convalidate dal DOE degli Stati Uniti con questi nuovi e successivi premi.”
Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.
