DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., חדשנית מהירה של טמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים, הודיעה כי הוענקו שלושה מענקים נפרדים לעסקים קטנים ממשרד האנרגיה האמריקני במהלך FY07. מענקי SBIR ו- STTR ישמשו את GeneSiC כדי להדגים התקני SiC מתח גבוה למגוון אחסון אנרגיה., רשת חשמל, יישומי פיזיקה בטמפרטורה גבוהה ואנרגיה גבוהה. יישומי אחסון אנרגיה ורשת חשמל זוכים לתשומת לב גוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.
“אנו שמחים מרמת הביטחון שהביעו משרדים שונים במשרד האנרגיה האמריקני בכל הקשור לפתרונות המכשירים הגבוהים שלנו. הזרמת מימון זה לתוכניות טכנולוגית SiC המתקדמות שלנו תביא למכשירי SiC המובילים בתעשייה,” הגיב נשיא GeneSiC, ד"ר. רנביר סינג. “המכשירים שפותחו בפרויקטים אלה מבטיחים לספק טכנולוגיה קריטית המאפשרת תמיכה ברשת חשמל יעילה יותר, ויפתח את הדלת לטכנולוגיית חומרה מסחרית וצבאית חדשה שנותרה לא ממומשת בגלל המגבלות של טכנולוגיות עכשוויות מבוססות סיליקון.”
שלושת הפרויקטים כוללים:
- פרס SBIR שלב I חדש שהתמקד בזרם גבוה, התקנים מבוססי תיריסטור מרובי kV המיועדים ליישומי אחסון אנרגיה.
- פרס המשך שלב II של SBIR לפיתוח התקני כוח SiC מרובי kV עבור ספקי מתח גבוה ליישומי מערכת RF בעלי הספק גבוה שהוענק על ידי משרד המדע של DOE..
- פרס STTR שלב I התמקד במתח גבוה מגודר אופטי, התקני כוח SiC בתדירות גבוהה לסביבות עשירות בהפרעות אלקטרו-מגנטיות, כולל מערכות אנרגיה RF בעלות הספק גבוה, ומערכות נשק אנרגיה מכוונות.
יחד עם הפרסים, GeneSiC העבירה לאחרונה את פעילותה למבנה מעבדה ומשרדים מורחב בדאלס, וירג'יניה, שדרוג משמעותי של הציוד שלה, תשתית ונמצא בתהליך הוספת אנשי מפתח נוספים.
“GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה, מגבה את זה עם גישה לחבילת ייצור נרחבת, מתקני אפיון ובדיקה,” סיכם ד"ר. סינג. “אנו סבורים כי יכולות אלה אומתו ביעילות על ידי ה- DOE האמריקני עם פרסים חדשים ומעקביים אלה.”
מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקור www.genesicsemi.com.
