GeneSiC היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם.
GeneSiC הטכנולוגיה ממלאת תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. הטכנולוגיה שלנו מאפשרת קציר יעיל של מקורות אנרגיה מתחדשים.
GeneSiC רכיבים אלקטרוניים מתקררים, מהר יותר, וכלכלית יותר. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות מכשירי חשמל רחבים; שוק שצפוי להגיע אליו $1 מיליארד על ידי 2022.
יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.
אם אתה מעוניין ליצור קשר עם GeneSiC בנוגע ליחסי משקיעים, אנא שלח דוא"ל אל investors@genesicsemi.com
נָשִׂיא
 | ד"ר. רנביר סינג הקים את GeneSiC Semiconductor Inc.. ב 2004. לפני כן ערך מחקר על מכשירי כוח SiC תחילה ב- Cree Inc., ואז ב- NIST, גייתרסבורג, MD. הוא פיתח הבנה ביקורתית ופרסם במגוון רחב של מכשירי כוח SiC כולל PiN, דיודות JBS ושוטקי, MOSFETs, IGBT, תיריסטורים ותיריסטים בשליטת שטח. הוא קיבל את הדוקטורט. ותארים MS בהנדסת חשמל ומחשבים, מאוניברסיטת מדינת צפון קרוליינה, ראלי, NC, ו ב. טק מהמכון הטכנולוגי ההודי, דלהי. ב 2012, EE טיימס בשם ד"ר. סינג כמו בין "ארבעים חדשנים שבונים את היסודות של תעשיית האלקטרוניקה מהדור הבא." ב 2011, הוא זכה ב- R.&פרס D100 לקראת מאמציו למסחור 6.5 קילו וולט Thyristors SiC. הוא פרסם מעל 200 עבודות יומן ועידה, הוא מחבר מעל 30 הוציאו פטנטים אמריקאים, וכתב ספר. |
סגן נשיא לטכנולוגיה
 | ד"ר. סידארת סונדרסן הוא סגן נשיא הטכנולוגיה של GeneSiC. הוא קיבל את תואר שני. ותואר דוקטור. תארים בהנדסת חשמל מאוניברסיטת ג'ורג 'מייסון ב 2004 ו 2007, בהתאמה. ד"ר. Sundaresan פרסם יותר מ 65 מאמרים טכניים והליכי ועידה במכשיר, חומרים והיבטי עיבוד של מכשירי חשמל המיוצרים על SiC ו- GaN. הוא שימש בוועדת התוכניות הטכניות של הוועידה הבינלאומית בנושא SiC וחומרים קשורים (ICSCRM) והוא חבר הוועדה הטכנית הנוכחית בסימפוזיון הבינלאומי על מכשירי חשמל ומוליכים חשמליים (ISPSD). |
