פורסם ב

רשתות דחף של אנרגיה מתחדשת GeneSiC מוליכים למחצה 1.5 מיליון דולר ממשרד האנרגיה האמריקני

DULLES, VA, נוֹבֶמבֶּר 12, 2008 – משרד האנרגיה האמריקני העניק ל- GeneSiC Semiconductor שני מענקים נפרדים בהיקף כולל של 1.5 מיליון דולר לפיתוח קרביד סיליקון במתח גבוה. (SiC) מכשירים שישמשו כמאפשרים מפתח לרוח- ושילוב אנרגיה סולארית עם רשת החשמל במדינה.

"פרסים אלה מדגימים את האמון של ה- DOE ביכולות של GeneSiC, כמו גם מחויבותה לפתרונות אנרגיה חלופיים,"מציין ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. "משולב, רשת חשמל יעילה היא קריטית לעתיד האנרגיה של המדינה - ומכשירי ה- SiC שאנו מפתחים הם קריטיים להתגברות על חוסר היעילות של טכנולוגיות הסיליקון המקובלות. "

הפרס הראשון הוא מענק SBIR בשלב II בסך 750,000 דולר לפיתוח מהיר, התקני SiC דו קוטביים במתח גבוה במיוחד. השני הוא מענק שלב II STTR של 750,000 דולר לפיתוח מתגי SiC בעלי הספק גבוה.

קרביד סיליקון הוא חומר מוליך למחצה מהדור הבא עם יכולת להתמודד עם מתח פי 10 וזרם של סיליקון פי 100., מה שהופך אותו לאידיאלי לאפליקציות בעלות הספק גבוה כמו אנרגיה מתחדשת (רוח ושמש) מתקנים ומערכות בקרת רשת חשמל.

במיוחד, שני הפרסים מיועדים:

  • פיתוח בתדירות גבוהה, כיבוי שער SiC רב קילוולט (GTO) מכשירי חשמל. יישומים ממשלתיים ומסחריים כוללים מערכות ניהול חשמל ומיזוג ספינות, תעשיית השירות, והדמיה רפואית.
  • תכנון וייצור של מתח גבוה מגודר אופטי, התקני מיתוג SiC בעלי עוצמה גבוהה. שימוש בסיבים אופטיים להחלפת כוח הוא פיתרון אידיאלי לסביבות המוטרדות מהפרעות אלקטרו-מגנטיות (EMI), ויישומים הדורשים מתח גבוה במיוחד.

מכשירי ה- SiC GeneSiC מפתחים משרתים מגוון אחסון אנרגיה, רשת חשמל, ויישומים צבאיים, אשר זוכים לתשומת לב הולכת וגוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

מבוסס מחוץ לוושינגטון, DC בדולס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים. מיזמי הפיתוח הנוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורים עם אפקט שדה (FETs) ומכשירים דו קוטביים, כמו גם חלקיק & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש חוזים ראשוניים / תת סוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה חווה כיום צמיחה משמעותית, ושכירת עובדים מוסמכים בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.

פורסם ב

GeneSiC Semiconductor הוענק מספר מחלקות ארה"ב למענקי SBIR ו- STTR

DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., חדשנית מהירה של טמפרטורה גבוהה, פחמן סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים, הודיעה כי הוענקו שלושה מענקים נפרדים לעסקים קטנים ממשרד האנרגיה האמריקני במהלך FY07. מענקי SBIR ו- STTR ישמשו את GeneSiC כדי להדגים התקני SiC מתח גבוה למגוון אחסון אנרגיה., רשת חשמל, יישומי פיזיקה בטמפרטורה גבוהה ואנרגיה גבוהה. יישומי אחסון אנרגיה ורשת חשמל זוכים לתשומת לב גוברת ככל שהעולם מתמקד בפתרונות יעילים וחסכוניים יותר לניהול אנרגיה.

“אנו שמחים מרמת הביטחון שהביעו משרדים שונים במשרד האנרגיה האמריקני בכל הקשור לפתרונות המכשירים הגבוהים שלנו. הזרמת מימון זה לתוכניות טכנולוגית SiC המתקדמות שלנו תביא למכשירי SiC המובילים בתעשייה,” הגיב נשיא GeneSiC, ד"ר. רנביר סינג. “המכשירים שפותחו בפרויקטים אלה מבטיחים לספק טכנולוגיה קריטית המאפשרת תמיכה ברשת חשמל יעילה יותר, ויפתח את הדלת לטכנולוגיית חומרה מסחרית וצבאית חדשה שנותרה לא ממומשת בגלל המגבלות של טכנולוגיות עכשוויות מבוססות סיליקון.”

שלושת הפרויקטים כוללים:

  • פרס SBIR שלב I חדש שהתמקד בזרם גבוה, התקנים מבוססי תיריסטור מרובי kV המיועדים ליישומי אחסון אנרגיה.
  • פרס המשך שלב II של SBIR לפיתוח התקני כוח SiC מרובי kV עבור ספקי מתח גבוה ליישומי מערכת RF בעלי הספק גבוה שהוענק על ידי משרד המדע של DOE..
  • פרס STTR שלב I התמקד במתח גבוה מגודר אופטי, התקני כוח SiC בתדירות גבוהה לסביבות עשירות בהפרעות אלקטרו-מגנטיות, כולל מערכות אנרגיה RF בעלות הספק גבוה, ומערכות נשק אנרגיה מכוונות.

יחד עם הפרסים, GeneSiC העבירה לאחרונה את פעילותה למבנה מעבדה ומשרדים מורחב בדאלס, וירג'יניה, שדרוג משמעותי של הציוד שלה, תשתית ונמצא בתהליך הוספת אנשי מפתח נוספים.

“GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה, מגבה את זה עם גישה לחבילת ייצור נרחבת, מתקני אפיון ובדיקה,” סיכם ד"ר. סינג. “אנו סבורים כי יכולות אלה אומתו ביעילות על ידי ה- DOE האמריקני עם פרסים חדשים ומעקביים אלה.”

מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקור www.genesicsemi.com.