Notes d'application:
AN-10A entraînant des transistors à jonction SiC (SJT) avec des pilotes de grille IGBT en silicium prêts à l'emploi: Concept d'entraînement à un niveau
Peut 2013 AN-10A entraînant des transistors à jonction SiC (SJT) avec des pilotes de grille IGBT en silicium prêts à l'emploi: Concept d'entraînement à un niveau
AN-10B Pilotant des transistors à jonction SiC (SJT): Concept d'entraînement de porte à deux niveaux
juin 2013 AN-10B Pilotant des transistors à jonction SiC (SJT): Concept d'entraînement de porte à deux niveaux
Carte de commutation à double impulsion
SEP 2014 Carte de commutation à double impulsion
Carte de commande de porte haute puissance
SEP 2014 Carte de commande de porte haute puissance
Carte de commande de porte de faible puissance
SEP 2014 Carte de commande de porte de faible puissance
Articles techniques:
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistors de jonction avec des gains de courant de 88 et capacité de commutation ultra-rapide
Septembre, 20111200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistors de jonction avec des gains de courant de 88 et capacité de commutation ultra-rapide
1200 Transistors de jonction V SiC « Super » fonctionnant à 250 °C avec des pertes d'énergie extrêmement faibles pour les applications de conversion de puissance
Nov, 2011 1200 Transistors de jonction V SiC « Super » fonctionnant à 250 °C avec des pertes d'énergie extrêmement faibles pour les applications de conversion de puissance
Exploiter la promesse haute température du SiC
Fév, 2012 Exploiter la promesse haute température du SiC
Carbure de silicium “Super” Transistors à jonction fonctionnant à 500 ° C
Avr, 2012 Carbure de silicium “Super” Transistors à jonction fonctionnant à 500 ° C
Septembre
Peut, 2012 Septembre
