Notes d'application:
AN-1 1200 Diodes V Schottky avec hauteurs de barrière invariantes en température et facteurs d'idéalité
oct 2010 AN-1 1200 Diodes V Schottky avec hauteurs de barrière invariantes en température et facteurs d'idéalité
AN-2 1200 Diodes V SiC JBS avec charge de récupération inverse capacitive ultra-faible pour les applications à commutation rapide
oct 2010 AN-2 1200 Diodes V SiC JBS avec charge de récupération inverse capacitive ultra-faible pour les applications à commutation rapide
Fiabilité de la diode de puissance AN1001 SiC
Septembre, 2018Fiabilité de la diode de puissance AN1001 SiC
AN1002 Comprendre la fiche technique d'une diode Schottky SiC Power
Septembre, 2018AN1002 Comprendre la fiche technique d'une diode Schottky SiC Power
Instructions d'utilisation du modèle AN1003 SPICE
décembre, 2018Instructions d'utilisation du modèle AN1003 SPICE
Articles techniques:
Redresseurs PiN SiC haute puissance
déc, 2005 Redresseurs PiN SiC haute puissance
Redresseurs SiC PiN haute puissance
Juin, 2007 Redresseurs SiC PiN haute puissance
Détection rapide des neutrons avec les détecteurs semi-isolants en carbure de silicium
Juin, 2008 Détection rapide des neutrons avec les détecteurs semi-isolants en carbure de silicium
Développement de détecteurs de rayonnement à base de carbure de silicium semi-isolant
oct, 2008 Développement de détecteurs de rayonnement à base de carbure de silicium semi-isolant
Corrélation entre la durée de vie de la recombinaison des porteuses et la chute de tension directe dans les diodes 4H-SiC PiN
Septembre, 2010 Corrélation entre la durée de vie de la recombinaison des porteuses et la chute de tension directe dans les diodes 4H-SiC PiN
