Transistors et redresseurs SiC haute température à usage général offerts à faible coût
Haute température (>210oC) Les transistors et redresseurs de jonction dans des boîtiers métalliques de petit facteur de forme offrent des avantages de performances révolutionnaires pour une variété d'applications, y compris l'amplification, circuit à faible bruit et fond de trou…
Carte de commande de grille et modèles SPICE pour transistors à jonction en carbure de silicium (SJT) Publié
Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation DULLES,…
Versions GeneSiC 25 Transistors au carbure de silicium mOhm/1700 V
SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits Dulles, Virginie., oct 28, 2014 — Semi-conducteur GeneSiC, a pioneer and global supplier…
GeneSiC soutient le Little Box Challenge de Google/IEEE
Le transistor et les redresseurs SiC de GeneSiC offrent des avantages significatifs pour atteindre les objectifs du Little Box Challenge.. Transistors de puissance au carbure de silicium & Redresseurs. Disponible. À présent! GeneSiC has a…
Haute température (210 C) Transistors de jonction SiC proposés en boîtiers hermétiques
La promesse d'une température élevée dans les transistors SiC réalisée grâce à des boîtiers compatibles aux normes de l'industrie améliorera considérablement les actionneurs et les alimentations de fond et aérospatiaux Dulles, Virginie., déc 10, 2013 — GénéSiC…