Un MOSFET de puissance 4H-SiC à grande surface de 10 kV avec un comportement sous-seuil stable indépendant de la température
août, 2008Un MOSFET de puissance 4H-SiC à grande surface de 10 kV avec un comportement sous-seuil stable indépendant de la température
Capacité de courant élevé 650V, 1200Diodes V et 1700 V SiC Schottky MPS ™ dans un boîtier mini-module SOT-227
DULLES, Virginie, Peut 11, 2019 — GeneSiC devient un leader du marché des (100 A et 200 UNE) Les diodes SiC Schottky dans le mini-module SOT-227 GeneSiC a introduit GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC lance le MPS SiC Schottky 1700 V le plus performant du secteur™ diodes
DULLES, Virginie, janvier 7, 2019 — GeneSiC lance un portefeuille complet de diodes SiC Schottky MPS ™ 1700 V de troisième génération dans le boîtier TO-247-2 GeneSiC a introduit GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 et…
GeneSiC interviewé au PCIM 2016 à Nuremberg, Allemagne
Entretiens de conception de systèmes électriques GeneSiC Nuremberg, Allemagne mai 12, 2016 — Le président de GeneSiC Semiconductor a été interviewé par Alix Paultre de Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) au salon PCIM de Nuremberg,…
Transistors-diodes à jonction tout en carbure de silicium offerts dans un 4 Mini-module plombé
Combinaison transistor-diode SiC co-emballée dans un boîtier robuste, isolé, 4-plombé, le conditionnement en mini-modules réduit les pertes d'énergie à l'allumage et permet des conceptions de circuits flexibles pour les convertisseurs de puissance haute fréquence DULLES, Virginie, Peut 13, 2015…
