Combinaison transistor-diode SiC co-emballée dans un boîtier robuste, isolé, 4-plombé, l'emballage mini-module réduit les pertes d'énergie à la mise sous tension et permet des conceptions de circuits flexibles pour les convertisseurs de puissance haute fréquence
DULLES, Virginie, Peut 13, 2015 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de 20 mOhm-1200 V SiC jonction transistor-diodes dans un isolé, 4-Emballage mini-module au plomb qui permet des pertes d'énergie de mise en marche extrêmement faibles tout en offrant une flexibilité, conceptions modulaires dans les convertisseurs de puissance à haute fréquence. L'utilisation de la haute fréquence, Les transistors et redresseurs SiC à haute tension et à faible résistance à l'état passant réduiront la taille/le poids/le volume des applications électroniques nécessitant une gestion de puissance plus élevée à des fréquences de fonctionnement élevées. Ces appareils sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les appareils de chauffage à induction, générateurs de plasma, chargeurs rapides, Convertisseurs DC-DC, et alimentations à découpage.
1200 Redresseur à transistor à jonction en carbure de silicium V/20 mOhm-Co-conditionné dans un boîtier SOT-227 isolé offrant une capacité de source de porte et de puits séparée
Transistors de jonction SiC co-packagés (SJT)-Les redresseurs SiC proposés par GeneSiC sont uniquement applicables aux applications de commutation inductive, car les SJT sont les seuls commutateurs à large bande interdite >10 capacité de court-circuit répétitif microsec, même à 80% des tensions nominales (par exemple. 960 V pour un 1200 V appareil). En plus des temps de montée/descente inférieurs à 10 ns et d'une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), le terminal Gate Return dans la nouvelle configuration améliore considérablement la capacité de réduire les énergies de commutation. Cette nouvelle classe de produits offre des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température de jonction. Les transistors de jonction SiC de GeneSiC sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être entraînés à de faibles tensions de grille, contrairement aux autres commutateurs SiC.
Les redresseurs SiC Schottky utilisés dans ces mini-modules présentent de faibles chutes de tension à l'état passant, bonnes valeurs nominales de courant de surtension et courants de fuite les plus faibles de l'industrie à des températures élevées. Avec température indépendante, caractéristiques de commutation de récupération inverse proches de zéro, Les redresseurs SiC Schottky sont des candidats idéaux pour une utilisation dans des circuits à haut rendement.
“Les produits SiC Transistor et Rectifier de GeneSiC sont conçus et fabriqués pour réaliser de faibles pertes à l'état passant et de commutation. Une combinaison de ces technologies dans un package innovant promet des performances exemplaires dans les circuits d'alimentation exigeant des dispositifs à large bande interdite. L'emballage du mini-module offre une grande flexibilité de conception pour une utilisation dans une variété de circuits d'alimentation comme H-Bridge, Onduleurs Flyback et multi-niveaux” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.
Le produit sorti aujourd'hui comprend
20 Transistor/Redresseur à jonction SiC mOhm/1200 V (GA50SICP12-227):
• Ensemble SOT-227/mini-bloc/Isotop isolé
• Gain de courant de transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limité par l'emballage)
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <10 nanosecondes typique.
Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès de GeneSiC Distributeurs autorisés.
Pour plus d'informations, veuillez visiter: https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/
À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des modules à diodes silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier en fond de trou, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.
