Posté sur 2019-06-102020-05-11 par Éditeur0Un MOSFET de puissance 4H-SiC à grande surface de 10 kV avec un comportement sous-seuil stable indépendant de la température août, 2008Un MOSFET de puissance 4H-SiC à grande surface de 10 kV avec un comportement sous-seuil stable indépendant de la température