Énergie des semi-conducteurs, Leader de l'industrie des circuits intégrés de puissance en nitrure de gallium, annonce l'acquisition de GeneSiC Semiconductor, Pionnier du carbure de silicium
Le deuxième, CALIFORNIE., 15 août, 2022 - Énergie des semi-conducteurs (Nasdaq: NVTS), le leader de l'industrie du nitrure de gallium (GaN) CI de puissance, a annoncé aujourd'hui l'acquisition de GeneSiC Semiconductor, un carbure de silicium (SiC) pionnier…
Les MOSFET SiC G3R™ 750V offrent des performances et une fiabilité inégalées
DULLES, Virginie, juin 04, 2021 — Les MOSFET 750V G3R™SiC de nouvelle génération de GeneSiC offriront des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité qui surpassent ses homologues. Les avantages du système incluent de faibles baisses d'état…
5Diodes SiC Schottky MPS ™ 650 V de génération pour une efficacité inégalée
DULLES, Virginie, Peut 28, 2021 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et fournisseur mondial de carbure de silicium (SiC) dispositifs semi-conducteurs de puissance, annonce la disponibilité de la 5ème génération (Série GE***) SiC Schottky…
Nouveaux MOSFET SiC de 3e génération de GeneSiC présentant la meilleure figure de mérite de l'industrie
DULLES, Virginie, Février 12, 2020 — MOSFET SiC 1200 V G3R ™ de nouvelle génération de GeneSiC Semiconductor avec RDS(SUR) niveaux allant de 20 mΩ à 350 mΩ offrent des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité…
Les MOSFET SiC 3300V et 1700V 1000mΩ de GeneSiC révolutionnent la miniaturisation des alimentations auxiliaires
DULLES, Virginie, décembre 4, 2020 — GeneSiC annonce la disponibilité de MOSFET SiC discrets 3300 V et 1700 V, leaders de l'industrie, optimisés pour atteindre une miniaturisation inégalée, fiabilité et économies d'énergie dans l'industrie…