Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications
DULLES, Virginie, Octobre 20, 2020 — GeneSiC lance des MOSFET en carbure de silicium de 6,5 kV pour être à l'avant-garde en offrant des niveaux de performances sans précédent, efficacité et fiabilité dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension…
GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix D100 pour le commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC
DULLES, Virginie, décembre 5, 2019 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2019 R&ré 100 Prix pour le développement de SiC-Based…
Capacité de courant élevé 650V, 1200Diodes V et 1700 V SiC Schottky MPS ™ dans un boîtier mini-module SOT-227
DULLES, Virginie, Peut 11, 2019 — GeneSiC devient un leader du marché des (100 A et 200 UNE) Les diodes SiC Schottky dans le mini-module SOT-227 GeneSiC a introduit GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC lance le MPS SiC Schottky 1700 V le plus performant du secteur™ diodes
DULLES, Virginie, janvier 7, 2019 — GeneSiC lance un portefeuille complet de diodes SiC Schottky MPS ™ 1700 V de troisième génération dans le boîtier TO-247-2 GeneSiC a introduit GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 et…
Les modules hybrides SiC Schottky Rectifier/Si IGBT de GeneSiC permettent un fonctionnement à 175°C
DULLES, Virginie, Mars 5, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) Power Semiconductors annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de ses…