MGA DULLES, VA, Marso 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon ibinalita ang agarang availability ng kanyang ikalawang henerasyon hybrid mini-module gamit ang 1200 V/100 Amperes Sic Schotky Rectifiers na may rugged Silicon IGBTs – ang GB100XCP12-227. Ang pagganap-presyo point kung saan ang produktong ito ay inilabas ay nagbibigay-daan sa maraming mga aplikasyon ng conversion upang makinabang mula sa pagbabawas ng gastos / timbang /timbang /dami na hindi silicon IGBT / Silicon Rectifier solusyon, o isang dalisay na Modulo ng Sic ay maaaring mag-alok ng. Ang mga device na ito ay target na gamitin sa iba't ibang mga application kabilang ang pang-industriya motors, solar inverters, dalubhasa kagamitan at kapangyarihan grid application.
Sic Schotky/Si IGBT mini-module (Co-pack) inaalok ng GeneSiC ay ginawa sa Si IGBTs na eksibit positibong temperatura kape ng on-state drop, matipuno punchrough disenyo, mataas na temperatura operasyon at mabilis paglipat ng mga katangian na kaya ng pagiging itinataboy sa pamamagitan ng komersyal na, karaniwang magagamit 15 V IGBT gate driver. Ang SiC rectifiers na ginamit sa mga co-pack module na ito ay nagbibigay-daan sa lubhang mababang pakete ng pag-inductance, mababang-estado boltahe drop at walang reverse pagbawi. Ang SOT-227 pakete ay nag-aalok ng nakahiwalay na baseplate, 12mm mababang profile disenyo na maaaring gamitin masyadong flexibly bilang isang standalone circuit elemento, mataas na kasalukuyang kahalintulad na kumpigurasyon, isang Binti ng Phase (dalawang modulo), o bilang isang chopper circuit elemento.
“Nakinig kami sa aming mga key customer dahil ang unang nag-aalok ng produktong ito halos 2 taon bumalik. Ang ikalawang henerasyong ito 1200 V /100 A Co-pack produkto ay may isang mababang disenyo ng pag-inductance na ay angkop para sa mataas na dalas, mataas na temperatura application. Ang mahihirap na mataas na temperatura at baligtarin pagbawi katangian ng Silicon diodes kritikal limitado ang paggamit ng IGBTs sa mas mataas na temperatura. GeneSic's mababang VF, mababang kapasidad SiC Schotky Diodes paganahin ang breakdown na ito produkto” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.
1200 V/100 Isang SibGBT / Sic Rectifier Technical Highlight
- On-state Drop ng 1.9 V sa 100 Isang
- Positibong temperatura kape sa VF
- Tjmax = 175°C
- Magbukas-On-Enerhiya Pagkawala 23 microjoules (karaniwang).
Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, RoHS compliant industriya-standard SOT-227 pakete. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.
Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.
GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.
