Rectificadores y transistores de SiC de alta temperatura de uso general ofrecidos a bajo costo
Alta temperatura (>210oC) Los transistores y rectificadores de unión en paquetes de latas de metal de factor de forma pequeño ofrecen beneficios de rendimiento revolucionarios para una variedad de aplicaciones, incluida la amplificación, low noise circuitry and downhole…
Tarjeta de controlador de compuerta y modelos SPICE para transistores de unión de carburo de silicio (SJT) Liberado
Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation DULLES,…
Lanzamientos de GeneSiC 25 Transistores de carburo de silicio mOhm / 1700 V
SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits Dulles, Virginia., Oct 28, 2014 — Semiconductor GeneSiC, a pioneer and global supplier…
GeneSiC apoya el desafío Little Box de Google / IEEE
GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifiers offer significant advantages towards achieving the goals of the Little Box Challenge State-Of-the Art. Transistores de potencia de carburo de silicio & Rectificadores. Disponible. Ahora! GeneSiC has a…
Alta temperatura (210 C) Transistores de unión SiC ofrecidos en paquetes herméticos
The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies Dulles, Virginia., dic 10, 2013 — GeneSiC…