DULLES, Virginia, diciembre 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., un innovador clave del novedoso carburo de silicio (Sic) dispositivos para alta temperatura, Alto Voltaje, y aplicaciones de voltaje ultra alto, anuncia la selección de su proyecto titulado “Dispositivos de diodo-transistor de unión súper SiC integrados para módulos de control de motores de alta potencia que operan en 500 oC ”de la Administración Nacional de Aeronáutica y del Espacio de EE. UU. (NASA) para un premio SBIR de la Fase I. Este proyecto SBIR se centra en el desarrollo de un transistor de super unión monolítico integrado SiC JBS diodo (MIDSJT) dispositivos para operar en ambientes similares a Venus (500 ° C temperaturas superficiales). Los dispositivos SiC MIDSJT desarrollados en este programa se utilizarán para construir módulos de potencia de control de motores para la integración directa con los rovers de exploración Venus..
“Estamos satisfechos con la confianza expresada por la NASA en nuestras soluciones de dispositivos de SiC de alta temperatura.. Este proyecto permitirá a GeneSiC desarrollar tecnologías de administración de energía basadas en SiC líderes en la industria a través de sus innovadoras soluciones de empaque y dispositivos.” dijo el Dr.. Siddarth Sundaresan, Director de tecnología de GeneSiC. “Los dispositivos SiC MIDSJT a los que se apunta en este programa permitirán que la potencia a nivel de kilovatios se maneje con precisión digital a temperaturas tan altas como 500 ° C. Además de las aplicaciones del espacio ultraterrestre, Esta novedosa tecnología tiene el potencial de revolucionar el hardware crítico de perforación petrolera aeroespacial y geotérmica que requiere temperaturas ambientales superiores a 200 ° C. Estas áreas de aplicación están actualmente limitadas por el bajo rendimiento a altas temperaturas de las tecnologías de dispositivos contemporáneas de silicio e incluso de SiC, como JFET y MOSFET.” él agregó.
GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.
Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.
GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa.
