DULLES, Virginia, Febrero 25, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una familia de 1700V y 1200 Transistores de unión V SiC. Incorporando alto voltaje, Los transistores de unión SiC de alta frecuencia y alta temperatura aumentarán la eficiencia de conversión y reducirán el tamaño / peso / volumen de la electrónica de potencia. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluido el servidor, fuentes de alimentación para telecomunicaciones y redes, fuentes de alimentación ininterrumpidas, inversores solares, sistemas de control de motores industriales, y aplicaciones de fondo de pozo.
Los transistores de unión ofrecidos por GeneSiC exhiben una capacidad de conmutación ultrarrápida, un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), así como pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación independientes de la temperatura. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de ser impulsados por comerciales, comúnmente disponible 15 Controladores de puerta V IGBT, a diferencia de otros interruptores de SiC. Al tiempo que ofrece compatibilidad con controladores SiC JFET, Los transistores de unión se pueden conectar en paralelo fácilmente debido a sus características transitorias coincidentes.
“A medida que los diseñadores de sistemas de energía continúan empujando los límites de la frecuencia de operación, sin dejar de exigir altas eficiencias de circuito, la necesidad de interruptores de SiC que puedan ofrecer un estándar de rendimiento y uniformidad de producción. Utilizando el dispositivo único y las innovaciones de fabricación, Los productos Transistor de GeneSiC ayudan a los diseñadores a lograr todo eso en una solución más robusta,” dijo el Dr.. Ranbir Singh , Presidente de GeneSiC Semiconductor.
1700 Aspectos destacados técnicos del transistor de unión en V
- Tres ofrendas - 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); http 500 mOhms (GA04JT17-247)
- Tjmáx = 175 ° C
- Activar / desactivar tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico.
1200 Aspectos destacados técnicos del transistor de unión en V
- Dos ofrendas - 220 mOhms (GA06JT12-247); http 460 mOhms (GA03JT12-247)
- Tjmáx = 175 ° C
- Activar / desactivar tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico
Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, Paquetes TO-247 que cumplen con RoHS. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.
