Hochspannung, Reverse Recovery-freie SiC-Schottky-Dioden ermöglichen eine kritische Aktivierung von Solarwechselrichtern und Hochspannungsbaugruppen, indem sie Oberflächenmontagefunktionen mit kleinstem Formfaktor bieten
Dulles, Virginia., Nov. 19, 2013 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit einer Familie von KMUs nach Industriestandard an (JEDEC DO-214AA) verpackte SiC-Gleichrichter in der 650 - - 3300 V-Bereich. Einbau dieser Hochspannung, Reverse Recovery-frei, Hochfrequenz- und Hochtemperatur-fähige SiC-Dioden erhöhen die Umwandlungseffizienz und reduzieren die Größe / das Gewicht / das Volumen von Multi-kV-Baugruppen. Diese Produkte richten sich an Micro-Solar-Wechselrichter sowie an Spannungsvervielfacherschaltungen, die in einer Vielzahl von Röntgenbereichen eingesetzt werden, Laser- und Partikelgenerator-Netzteile.
Moderne Mikro-Solar-Wechselrichter und Spannungsvervielfacherschaltungen können unter geringen Schaltungswirkungsgraden und großen Größen leiden, da die Rückgewinnungsströme von Siliziumgleichrichtern umgekehrt sind. Bei höheren Gleichrichtertemperaturen, Diese Situation wird schlimmer, weil der Rückgewinnungsstrom in Siliziumgleichrichtern mit der Temperatur zunimmt. Mit thermischen Einschränkungen Hochspannungsbaugruppen, Sperrschichttemperaturen steigen ziemlich leicht an, selbst wenn bescheidene Ströme durchgelassen werden. Hochspannungs-SiC-Gleichrichter bieten einzigartige Eigenschaften, die eine Revolution der Mikrosolar-Wechselrichter und Hochspannungsbaugruppen versprechen. GeneSiCs 650 V / 1 A.; 1200 V / 2 A und 3300 V / 0,3 Ein Schottky-Gleichrichter verfügt über einen Rückstrom von Null, der sich nicht mit der Temperatur ändert. Das 3300 V-Geräte bieten eine relativ hohe Spannung in einem einzigen Gerät und ermöglichen eine Reduzierung der Spannungsvervielfachungsstufen, die in typischen Hochspannungsgeneratorschaltungen erforderlich sind, durch Verwendung höherer AC-Eingangsspannungen. Die nahezu idealen Schalteigenschaften ermöglichen die Beseitigung / drastische Reduzierung von Spannungsausgleichsnetzen und Dämpfungsschaltungen. Das SMB (DO-214AA) Das umgeformte Gehäuse verfügt über einen branchenüblichen Formfaktor für oberflächenmontierte Baugruppen.
„Diese Produktangebote stammen aus jahrelangen anhaltenden Entwicklungsbemühungen bei GeneSiC, um überzeugende Geräte und Pakete anzubieten. Wir glauben, dass der SMB-Formfaktor ein wesentliches Unterscheidungsmerkmal für den Markt für Mikrosolar-Wechselrichter und Spannungsvervielfacher ist, und wird unseren Kunden erhebliche Vorteile ermöglichen. GeneSiCs niedriger VF, SiC-Schottky-Gleichrichter mit niedriger Kapazität und verbesserte SMB-Gehäuse ermöglichen dieses bahnbrechende Produkt” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC Semiconductor.
1200 V / 2 A SMB SiC Schottky Diode (GB02SLT12-214) Technische Highlights
- Typisches VF = 1.5 V.
- T.jmax = 175ÖC
- Reverse Recover Charge = 14 nC.
3300 V / 0,3 A SMB SiC Schottky Diode (GAP3SLT33-214) Technische Highlights
- Typisches VF = 1.7 V.
- T.jmax = 175ÖC
- Reverse Recover Charge = 52 nC.
650 V / 1 A SMB SiC Schottky Diode (GB01SLT06-214) Technische Highlights
- Typisches VF = 1.5 V.
- T.jmax = 175ÖC
- Reverse Recover Charge = 7 nC.
Alle Geräte sind 100% Auf volle Spannungs- / Stromstärke getestet und in Halogen-frei untergebracht, RoHS-konformes SMB (DO-214AA) Pakete. Technischer Support und SPICE-Schaltungsmodelle werden angeboten. Die Geräte sind ab sofort bei den autorisierten GeneSiC-Händlern erhältlich.
Über GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, und globaler Anbieter einer breiten Palette von Leistungshalbleitern. Das Geräteportfolio umfasst Gleichrichter auf SiC-Basis, Transistor, und Thyristorprodukte, sowie Siliziumgleichrichterprodukte. GeneSiC hat umfassendes geistiges Eigentum und technisches Wissen entwickelt, das die neuesten Fortschritte bei SiC-Leistungsgeräten umfasst, mit Produkten für alternative Energie, Automobil, Ölbohrungen, Motorsteuerung, Energieversorgung, Transport, und unterbrechungsfreie Stromversorgungsanwendungen. GeneSiC hat zahlreiche Forschungs- und Entwicklungsaufträge von US-Regierungsbehörden erhalten, einschließlich der ARPA-E, Energiebehörde, Marine, Heer, DARPA, DTRA, und das Department of Homeland Security, sowie große staatliche Hauptauftragnehmer. Im 2011, das Unternehmen gewann die prestigeträchtige R.&D100-Auszeichnung für die Vermarktung von Ultrahochspannungs-SiC-Thyristoren.
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