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Hohe Temperatur (210 C) SiC-Übergangstransistoren in hermetischen Gehäusen angeboten

Das Versprechen hoher Temperaturen in SiC-Transistoren, das durch kompatible Gehäuse nach Industriestandard realisiert wird, wird die Aktuatoren und Stromversorgungen im Bohrloch und in der Luft- und Raumfahrt entscheidend verbessern

Dulles, Virginia., Dezember 10, 2013 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter gibt heute die sofortige Verfügbarkeit über seine Distributoren und direkt eine Familie mit Hochtemperaturgehäuse bekannt 600 V SiC-Übergangstransistoren (SJT) in dem 3-50 Ampere-Nennwerte in JEDEC-Industriestandard-Durchsteck- und Oberflächenmontage-Gehäusen. Integrieren dieser hohen Temperaturen, geringer Einschaltwiderstand, Hochfrequenz-SiC-Transistoren in hermetischen Gehäusen, Hochtemperaturlote und Verkapselungen erhöhen die Umwandlungseffizienz und reduzieren Größe/Gewicht/Volumen von Hochtemperatur-Leistungsumwandlungsanwendungen.HiT_Schottky

Zeitgenössisches Hochtemperatur-Netzteil, Motorsteuerungs- und Aktuatorkreise, die in Öl-/Gas-/Untertage- und Luft- und Raumfahrtanwendungen verwendet werden, leiden unter dem Mangel an Verfügbarkeit einer praktikablen Hochtemperatur-Siliziumkarbid-Lösung. Siliziumtransistoren leiden unter niedrigen Schaltungswirkungsgraden und großen Abmessungen, da sie unter hohen Leckströmen und geringen schlechten Schalteigenschaften leiden. Beide Parameter verschlechtern sich bei höheren Sperrschichttemperaturen. Bei thermisch eingeschränkten Umgebungen, Sperrschichttemperaturen steigen ziemlich leicht an, selbst wenn bescheidene Ströme durchgelassen werden. Hermetisch verpackte SiC-Transistoren bieten einzigartige Eigenschaften, die versprechen, die Leistungsfähigkeit von Bohrloch- und Luft- und Raumfahrtanwendungen zu revolutionieren. GeneSiCs 650 V/3-50 A SiC-Junction-Transistoren bieten Schaltzeiten von nahezu Null, die sich nicht mit der Temperatur ändern. Das 210ÖGeräte mit C-Sperrschicht bieten relativ große Temperaturspannen für Anwendungen, die unter extremen Umgebungsbedingungen betrieben werden.

Die von GeneSiC angebotenen Sperrschichttransistoren weisen eine ultraschnelle Schaltfähigkeit auf, ein quadratischer, in Sperrrichtung vorgespannter sicherer Betriebsbereich (RBSOA), sowie temperaturunabhängige transiente Energieverluste und Schaltzeiten. Diese Schalter sind Gate-Oxid-frei, normal-aus, weisen einen positiven Temperaturkoeffizienten des Einschaltwiderstands auf, und sind in der Lage, von kommerziellen, allgemein verfügbar 15 V IGBT Gate-Treiber, im Gegensatz zu anderen SiC-Schaltern. Bei gleichzeitiger Kompatibilität mit SiC-JFET-Treibern, SiC-Übergangstransistoren können aufgrund ihrer passenden Transienteneigenschaften leicht parallel geschaltet werden.

“Da Entwickler von Bohrloch- und Luft- und Raumfahrtanwendungen die Grenzen der Betriebsfrequenz weiter verschieben, und fordern dennoch hohe Schaltungswirkungsgrade, sie brauchen SiC-Switches, die einen Leistungsstandard bieten können, Zuverlässigkeit und Produktionseinheitlichkeit. Nutzung der einzigartigen Geräte- und Fertigungsinnovationen, Die SJT-Produkte von GeneSiC helfen Designern, all dies in einer robusteren Lösung zu erreichen. Diese Produkte ergänzen den hermetisch verpackten SiC-Gleichrichter, der letztes Jahr von GeneSiC . herausgebracht wurde, und die Bare-Die-Produkte, die Anfang dieses Jahres veröffentlicht wurden, während wir den Weg für uns ebnen, Hochtemperatur anzubieten, niederinduktiv, Leistungsmodule in naher Zukunft ” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC Semiconductor.

Isoliert TO-257 mit 600 In SJTs:

  • 65 mOhm/20 Ampere (2N7639-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7637-GA); und 425 mOhm/4 Amp (2N7635-GA)
  • T.jmax = 210ÖC
  • An / Ausschalten; Aufstiegs-/Fallzeiten <50 Nanosekunden typisch.
  • Entsprechende Bare Die GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); und GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)

Nicht isoliertes TO-258 Prototyp-Paket mit 600 SJTs

  • 25 mOhm/50 Amp (GA50JT06-258 Prototypenpaket)
  • T.jmax = 210ÖC
  • An / Ausschalten; Aufstiegs-/Fallzeiten <50 Nanosekunden typisch.
  • Entsprechende Bare Die GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)

Oberflächenmontage TO-276 (SMD0.5) mit 600 SJTs

  • 65 mOhm/20 Ampere (2N7640-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7638-GA); und 425 mOhm/4 Amp (2N7636-GA)
  • T.jmax = 210ÖC
  • An / Ausschalten; Aufstiegs-/Fallzeiten <50 Nanosekunden typisch.

Alle Geräte sind 100% auf volle Nennspannung/-strom getestet und in hermetischen Gehäusen untergebracht. Technischer Support und SPICE-Schaltungsmodelle werden angeboten. Die Geräte sind sofort bei GeneSiC direkt und/oder über seine autorisierten Distributoren erhältlich.

Über GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, und globaler Anbieter einer breiten Palette von Leistungshalbleitern. Das Geräteportfolio umfasst Gleichrichter auf SiC-Basis, Transistor, und Thyristorprodukte, sowie Siliziumgleichrichterprodukte. GeneSiC hat umfassendes geistiges Eigentum und technisches Wissen entwickelt, das die neuesten Fortschritte bei SiC-Leistungsgeräten umfasst, mit Produkten für alternative Energie, Automobil, Ölbohrungen, Motorsteuerung, Energieversorgung, Transport, und unterbrechungsfreie Stromversorgungsanwendungen. GeneSiC hat zahlreiche Forschungs- und Entwicklungsaufträge von US-Regierungsbehörden erhalten, einschließlich der ARPA-E, Energiebehörde, Marine, Heer, DARPA, DTRA, und das Department of Homeland Security, sowie große staatliche Hauptauftragnehmer. Im 2011, das Unternehmen gewann die prestigeträchtige R.&D100-Auszeichnung für die Vermarktung von Ultrahochspannungs-SiC-Thyristoren.

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