Ansteuern von SiC-Schaltern – vom Compound Semiconductor Magazine (Pg 41)
Juli 29, 2013 – SJTs bieten IGBT-Treiber-kompatiblen Betrieb
Power Electronics Europe Nachrichten
Sep 5, 2013 – Die SJTs von GeneSiC bieten geringere Gesamtverluste als andere SiC-Switches
Halbleiter heute
Okt. 28, 2014 – GeneSiC startet verbessert, 1700-V- und 1200-V-SiC-Sperrschichttransistoren mit niedrigerem Einschaltwiderstand
Compound Semiconductor
Okt. 28, 2014 – SiC switches offer low conduction losses and superior short circuit capability
IEEE PELS-Magazin
Beschädigen 1, 2015 – Das Versprechen des Hochtemperaturbetriebs mit Siliziumkarbid-Geräten erfüllen