GeneSiC gewinnt 2,53 Millionen Dollar von ARPA-E für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Thyristor-basierten Geräten
DULLES, werden, September 28, 2010 - Agentur für fortgeschrittene Forschungsprojekte - Energie (ARPA-E) hat mit dem von GeneSiC Semiconductor geführten Team eine Kooperationsvereinbarung zur Entwicklung des Romans abgeschlossen…
Schubnetze für erneuerbare Energien GeneSiC Semiconductor 1,5 Mio. USD vom US-Energieministerium
DULLES, werden, November 12, 2008 – Das US-Energieministerium hat GeneSiC Semiconductor zwei separate Zuschüsse in Höhe von insgesamt 1,5 Mio. USD für die Entwicklung von Hochspannungs-Siliziumkarbid gewährt (SiC) Geräte, die…
Kommerzielle Auswirkungen von Siliziumkarbid
Sept, 2008Kommerzielle Auswirkungen von Siliziumkarbid
GeneSiC Semiconductor erhielt mehrere Zuschüsse des US-Energieministeriums für SBIR und STTR
DULLES, werden, Oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., ein schnell wachsender Innovator für Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, gab bekannt, dass es drei separate ausgezeichnet wurde…