Leistungselektronik-Technologie (Pg 21)
November, 2011 – SiC-Super-Junction-Transistoren bieten bahnbrechende Hochtemperaturleistung
Leistungselektronik-Technologie
Februar, 2012 – SiC: Eine robuste Leistungshalbleiterverbindung, mit der gerechnet werden muss
Bodos Energiesysteme (Pg 44)
Februar, 2012 – Siliziumkarbid-Thyristoren läuten die Smart-Grid-Revolution ein
Compound Semiconductor Magazine (Pg 33)
Marsch, 2012 – SiC Electronics: Hochtemperaturversprechen nutzen
Bodo’s Power System veröffentlicht redaktionellen Artikel von GeneSiC (Pg 16)
Juni 19, 2013 – Fahren und Verwenden von neuen SiC-Schaltern