GeneSiCs branchenführende 6,5-kV-SiC-MOSFETs – die Avantgarde für eine neue Welle von Anwendungen
DULLES, werden, Oktober 20, 2020 — GeneSiC bringt 6,5-kV-Siliziumkarbid-MOSFETs auf den Markt, um eine Vorreiterrolle bei der Bereitstellung beispielloser Leistung zu spielen, Effizienz und Zuverlässigkeit bei Anwendungen der Mittelspannungs-Stromumwandlung…
GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalter auf SiC-Basis
DULLES, werden, Dezember 5, 2019 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2019 R&D 100 Auszeichnung für die Entwicklung von SiC-Based…
Bodos Energiesysteme (Pg 46)
Kann, 2011 – 1200 Si / ICT / SiC-Dioden-Copack mit V / 100 A für leistungselektronische Anwendungen
Leistungselektronik-Technologie (Pg 36)
Juli, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC-Dioden-Copack reduziert Schaltverluste
Bodos Energiesysteme (Pg 36)
Oktober, 2011 – Durchbruch bei der elektrischen Hochtemperaturleistung von SiC-Super-Junction-Transistoren