Allzweck-Hochtemperatur-SiC-Transistoren und -Gleichrichter zu geringen Kosten
Hohe Temperatur (>210oC) Sperrschichttransistoren und Gleichrichter aus Metall mit kleinem Formfaktor bieten revolutionäre Leistungsvorteile für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Verstärkung, rauscharme Schaltung und im Bohrloch…
Gate-Treiberplatine und SPICE-Modelle für Siliziumkarbid-Übergangstransistoren (SJT) Freigegeben
Das für hohe Schaltgeschwindigkeiten optimierte Gate-Treiber-Board und verhaltensbasierte Modelle ermöglichen Leistungselektronik-Entwicklern, die Vorteile von SJTs in der Board-Level-Evaluierung und Schaltungssimulation DULLES zu verifizieren und zu quantifizieren,…
GeneSiC-Versionen 25 mOhm / 1700 V Siliziumkarbidtransistoren
SiC-Schalter mit niedrigsten Leitungsverlusten und überlegener Kurzschlussfähigkeit, freigegeben für Hochfrequenz-Stromkreise von Dulles, Virginia., Okt. 28, 2014 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Anbieter…
GeneSiC unterstützt die Little Box Challenge von Google/IEEE
Die SiC-Transistoren und -Gleichrichter von GeneSiC bieten erhebliche Vorteile, um die Ziele der Little Box Challenge State-Of-the-Art zu erreichen. Siliziumkarbid-Leistungstransistoren & Gleichrichter. Verfügbar. Jetzt! GeneSiC hat eine…
Hohe Temperatur (210 C) SiC-Übergangstransistoren in hermetischen Gehäusen angeboten
Das Versprechen einer hohen Temperatur in SiC-Transistoren, die durch kompatible Gehäuse nach Industriestandard realisiert werden, wird Aktoren und Stromversorgungen von Dulles im Bohrloch und in der Luft- und Raumfahrt entscheidend verbessern, Virginia., Dezember 10, 2013 — GeneSiC…