Ein großflächiger 10-kV-4H-SiC-Leistungs-DMOSFET mit stabilem Subthreshold-Verhalten unabhängig von der Temperatur
Aug., 2008Ein großflächiger 10-kV-4H-SiC-Leistungs-DMOSFET mit stabilem Subthreshold-Verhalten unabhängig von der Temperatur
Hochstromfähige 650V, 1200SiC Schottky MPS ™ -Dioden mit V und 1700 V im Mini-Modul SOT-227
DULLES, werden, Kann 11, 2019 — GeneSiC wird Marktführer bei Hochstrom-fähigen Geräten (100 A und 200 EIN) SiC-Schottky-Dioden im SOT-227-Minimodul GeneSiC haben GB2X50MPS17-227 eingeführt, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC veröffentlicht das branchenweit leistungsstärkste 1700-V-SiC-Schottky-MPS™ Dioden
DULLES, werden, Januar 7, 2019 — GeneSiC veröffentlicht ein umfassendes Portfolio seiner 1700 V SiC Schottky MPS ™ -Dioden der dritten Generation im TO-247-2-Paket GeneSiC hat GB05MPS17-247 eingeführt, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 und…
GeneSiC bei PCIM interviewt 2016 in Nürnberg, Deutschland
Power System Design interviewt GeneSiC Nürnberg, Deutschland Mai 12, 2016 — Der Präsident von GeneSiC Semiconductor wurde von Alix Paultre von Power Systems Design interviewt (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-the-latest-silicon-carbide-tech/67) auf der PCIM in Nürnberg,…
All-Siliziumkarbid-Sperrschichttransistoren-Dioden, angeboten in a 4 Führtes Minimodul
Zusammen verpackte SiC-Transistor-Dioden-Kombination in einer robusten, isoliert, 4-Geführt, Das Minimodul-Packaging reduziert Einschaltenergieverluste und ermöglicht flexible Schaltungsdesigns für Hochfrequenz-Leistungswandler DULLES, werden, Kann 13, 2015…
