Veröffentlicht am 2019-06-102020-05-11 durch Herausgeber0Ein großflächiger 10-kV-4H-SiC-Leistungs-DMOSFET mit stabilem Subthreshold-Verhalten unabhängig von der Temperatur Aug., 2008Ein großflächiger 10-kV-4H-SiC-Leistungs-DMOSFET mit stabilem Subthreshold-Verhalten unabhängig von der Temperatur